Cree demonstriert ersten C-Band GaN HEMT MMIC High-Power Amplifier für die Satellitenkommunikation

München, 22. Juni 2011 – Cree hat den industrieweit ersten GaN HEMT MMIC High Power Amplifier (HPA) für Satellitenkommunikations-Anwendungen demonstriert. Das Produkt bietet entscheidende Performance-Verbesserungen gegenüber existierenden, kommerziell verfügbaren GaAs-MESFET-Transistoren oder Verstärkern auf der Basis von Wanderwellenröhren.


cmpa5585025f_1000Das MMIC CMPA5585025F ist ein zweistufiger 50 Ω GaN HEMT HPA mit einer Spitzenleistung von 25 W, ausgerüstet mit einem Multi-Pin Keramik-Metall-Gehäuse von 25,4 x 9,7 mm. Die Augenblicksbandbreite des MMIC beträgt 5,8 GHz bis 8,4 GHz. Es erreicht eine lineare Leistung von 15 W (<-30 dBc Nachbarkanal-Leistung) bei einer Leistungsverstärkung von 20 dB. Der Leistungswirkungsgrad bei dieser linearen Ausgangsleistung beträgt 25 %.

„Aufgrund der herausragenden linearen Effizienz und Leistungsverstärkung unserer GaN-HEMT-Technologie bietet das GaN-MMIC eine richtungsweisende Performance für Satellitenkommunikations-Anwendungen auf. Wir gehen davon aus, dass unser GaN-Produkt die Art und Weise, wie an das Wärmemanagement herangegangen wird, grundlegend beeinflussen wird und es ermöglicht, Größe und Gewicht kommerzieller und militärischer Satellitenkommunikations-Systeme zu reduzieren“, sagt Jim Milligan, Director of RF bei Cree.

Der Baustein bietet einen herausragenden linearen Wirkungsgrad (bis zu 60 % höher als bei konventionellen Lösungen) in einem Gehäuse mit kleinem Footprint. Dies ermöglicht den Bau kompakterer und leichterer Sender, deren Kühlung weniger Kosten verursacht. Da dieser Baustein mit höherer Spannung betrieben wird als GaAs-MESFETs (28 V anstatt 12 V), nehmen die Transistoren weniger Strom auf. Hierdurch entstehen bei der Leistungsverteilung weniger Verluste, und der Wirkungsgrad des Gesamtsystems nimmt zu.

Muster des CMPA5585025F sind umgehend verfügbar. Die Produktionsfreigabe ist für den Sommer 2011 vorgesehen. Weitere Produktinformationen finden Sie auf www.cree.com/rf.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 22. Juni 2011 um 16:12 Uhr

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