Cree stellt neue Z-Rec™-Familie mit 1.200 V Siliziumkarbid-Schottkydioden vor

München, 29. Juni 2011 – Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid, hat die neue Z-Rec™-Familie vorgestellt. Diese besteht aus sieben für 1.200 V spezifizierten Siliziumkarbid-Schottkydioden, die in Bezug auf Preis und Performance optimiert sind. Die Bausteine werden für ein breites Spektrum von Nennströmen und in unterschiedlichen Gehäusen angeboten. Sie eignen sich für den Einsatz in einer Vielzahl gängiger Leistungshalbleiter-Anwendungen.

 

z-rec_sicDie Z-Rec-Dioden von Cree weisen keinen Sperrverzögerungsstrom auf und bringen es dadurch verglichen mit entsprechenden Siliziumdioden auf 50 % geringere Schaltverluste. Zudem behalten sie über ihren gesamten Temperaturbereich ein gleichbleibendes Schaltverhalten bei, wodurch sich das Schaltungsdesign vereinfacht und kein komplexes Wärmemanagement erforderlich ist. Zusammen mit den kürzlich vorgestellten 1.200 V SiC-Leistungs-MOSFETs von Cree ermöglichen diese SiC-Schottkydioden die Implementierung von Leistungselektronik ausschließlich in SiC-Technik und mit der Eignung für viermal höhere Schaltfrequenzen als konventionelle Dioden und IGBTs auf Siliziumbasis. Wechselrichterschaltungen lassen sich damit kompakter, weniger komplex und außerdem kostengünstiger realisieren, während gleichzeitig ein extrem hoher Systemwirkungsgrad erzielt wird. Schließlich punktet die Familie mit den Vorteilen einer höheren Stoßstrom‑ und Avalanche-Festigkeit als bisherige Generationen von SiC-Schottkydioden, was der allgemeinen Zuverlässigkeit der Systeme zugutekommt.

 

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John Palmour

„Designingenieure möchten die Vorteile der SiC-Schottkydioden bei der Entwicklung der nächsten Leistungselektronik-Generation nutzen. Neben dem Wegfall der Sperrverzögerungs-Verluste gehören dazu die temperaturunabhängigen Schaltverluste und die Eignung für höhere Frequenzen in Kombination mit einem niedrigeren EMI-Aufkommen“, kommentiert John Palmour, Mitbegründer von Cree und Chief Technology Officer, Power and RF. „Die neue Diodenfamilie zeichnet sich verglichen mit SiC-Schottkydioden der vorigen Generation durch höhere Stromdichten und eine erhöhte Avalanche-Festigkeit aus, ohne an Performance einzubüßen. Die Innovationen, die wir in der letzten Zeit im Bauelemente-Design erzielt haben, ermöglichen es uns deutlich höhere Nennströme bei niedrigeren Kosten pro Ampere anzubieten.“

 

Die Bauelemente eignen sich ideal als Boost-Dioden und antiparallel geschaltete Dioden in PV-Wechselrichtern und Treiberschaltungen für Drehstrommotoren sowie in PFC-Schaltungen (Leistungsfaktor-Korrektur) für Netzteile und unterbrechungsfreie Stromversorgungen. Ebenso kommen sie für Anwendungen in Frage, in denen man üblicherweise mehrere Bauelemente parallelschaltet, um dem höheren Leistungsbedarf gerecht zu werden.

 

Die jetzt vorgestellten Bauelemente sind für 2 A (C4D02120x), 5 A (C4D05120x), 10 A (C4D10120x), 20 A (C4D20120x) und 40 A (C4D40120x) vorgesehen. Je nach Nennstrom werden die Produkte im standardmäßigen oder vollisolierten TO-220-Gehäuse oder im standardmäßigen TO-247-Gehäuse angeboten. Die Verfügbarkeit der Bausteine als Die ist mit Cree abzuklären.

 

Die neuen 1.200 V SiC-Schottkydioden der Z-Rec-Familie sind vollständig qualifiziert und für den Produktionseinsatz freigegeben. Muster und weitere Informationen über die SiC-Leistungsbausteine von Cree gibt es auf www.cree.com/power.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 29. Juni 2011 um 10:16 Uhr

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