Cree liefert RF-Leistungstransistoren und High-Power-MMIC-Verstärker-Bausteine mit Gesamtleistung von mehr als 10 Millionen Watt aus

München, 04. Juli 2011 — Der Geschäftsbereich RF von Cree hat seit April 2011 GaN-on-SiC-RF-Leistungstransistoren und MMIC-Produkte mit einer RF-Leistung von insgesamt 10 Millionen Watt ausgeliefert. Dies unterstreicht die Qualität, Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit der Technologie, die Cree für die Herstellung von HEMT- und MMIC-Bausteinen auf Basis von Gallium-Nitrit (GaN) entwickelt hat. Der Wert von 10 Millionen bezieht sich nur auf kommerziell verfügbare RF-Produkte, nicht auf Bausteine mit weiteren 1,5 Millionen Watt, die Cree im Rahmen seiner GaN-MMIC-Foundry-Services bereitstellte.

 

3234944342_6cf1287355_oCree erreichte diesen Meilenstein bei einer gleichbleibend niedrigen Failure-in-Time-Rate (FIT) von 10 Ausfällen pro Milliarden Stunden. Das sind 80 Prozent weniger als bei anderen Technologien, die bei der Fertigung von RF-Leistungstransistoren Verwendung finden.

 

„Insgesamt kamen unsere GaN-on-SiC-Komponenten bislang auf eine Einsatzzeit von mehr als 1,4 Milliarden Stunden, und das bei einer Zuverlässigkeit, die deutlich höher liegt als die von anderen Verfahren, mit denen Hochspannungs-RF-Halbleiter oder GaN-Bausteine hergestellt werden“, sagt Jim Milligan, Director des Bereichs RF von Cree. Laut Milligan haben bislang die Produkte keines anderen amerikanischen Herstellers von GaN-Halbleiterprodukten eine ähnlich hohe Verbreitung gefunden. Im Einsatz sind nicht nur diskrete Transistoren, sondern auch komplexe GaN-MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuits).

 

„Die Marke von 10 Millionen Watt ist ein Beleg dafür, wie schnell unsere GaN-Technologie angenommen wurde“, ergänzt Milligan. Das gelte nicht nur für Anwendungen im militärischen Bereich, sondern auch für Basisstationen in der Telekommunikation, Breitband-Testsysteme, Radargeräte für den zivilen Sektor und die Medizintechnik. „Wenn wir unsere Expansion in diesen neuen Marktsegmenten mit derselben Geschwindigkeit fortsetzen, werden wir bis zum Jahresende 2011 den Wert von 10 Millionen Watt verdoppeln“, so Jim Milligan.

 

Weitere Informationen zu den RF-Produkten von Cree sind auf folgender Web-Seite zu finden: http://www.cree.com/rf.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 4. Juli 2011 um 10:03 Uhr

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