Cree erweitert Palette von Z-Rec™ Siliziumkarbid-Schottky-Dioden um Modelle mit einem Nennstrom von 2 A, 5 A, 8 A und 10 A

Bausteine im TO-252 D-Pak-Gehäuse verbessern Energieeffizienz von Mikrowechselrichtern für Photovoltaik-Anlagen

 

München, 17. Oktober 2011 – Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), hat die Familie seiner 1.200 V-Schottky-Dioden der Reihe Z-Rec™ auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) um vier oberflächenmontierbare Bausteine erweitert. Die Halbleiter im Surface-Mount-Industriestandardgehäuse TO-252 D-Pak stehen in Versionen für Nennströme von 2 A, 5 A, 8 A und 10 A zur Verfügung. Damit ist Cree der erste Hersteller, der für 1.200 V SiC-Schottky-Dioden eine derart breite Auswahl von Nennströmen in dieser Gehäusebauart anbietet. Entwickler von Photovoltaik-Mikrowechselrichtern und anderen Systemen haben damit mehr Möglichkeiten, kleinere, leichtere und kostengünstigere Stromrichter zu designen.

 

z-rec_sicMit den neuen Z-Rec-Schottky-Dioden unterstreicht Cree, dass sich Siliziumkarbid auch in Mainstream-Applikationen einsetzen lässt. Das Unternehmen hat in den vergangenen Jahren erhebliche Fortschritte bei der Weiterentwicklung der Siliziumkarbid-Technik erzielt. Die 1.200 V-Schottkydioden der Reihe Z-Rec™ von Cree setzen neue Maßstäbe in Bezug auf die Energieeffizienz und zeichnen sich im Vergleich zu Dioden auf Basis von Silizium durch niedrigere Systemkosten und eine höhere Zuverlässigkeit aus. Die neuen oberflächenmontierbaren Bausteine bieten dieselben Leistungswerte wie die Schottky-Dioden von Cree im TO-220-Gehäuse, allerdings bei reduziertem Flächenbedarf auf der Leiterplatte und einem flacheren Profil.

 

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Stephan Greiner

„Die neuen Bausteine im Surface-Mount-Gehäuse bieten alle Vorzüge von SiC-Schottkydioden. Dazu zählen niedrigere Schaltverluste, temperaturunabhängige Schalteigenschaften, die Eignung für höhere Frequenzen bei niedrigem EMI-Aufkommen sowie die höhere Verträglichkeit gegenüber Spannungsspitzen und Avalanche-Effekten“, erklärt Stephan Greiner, Vice President EMEA bei Cree.

 

Die neuen Z-Rec-Schottky-Dioden verbinden laut Stephan Greiner einen kleineren Footprint mit einem flacheren Profil auf der Leiterplatte. Mit der neuen 2-A-Version visiert Cree Anwendungen mit niedrigerer Leistung an, die damit zu einem günstigeren Preis von den SiC-typischen Vorteilen profitieren können. Die neuen Bausteine für 8 A und 10 A wiederum machen es möglich, gleiche Platz‑ und Kostenersparnisse auch in Anwendungen mit höherer Leistung zu erzielen.

 

cr3960-1200v-z-rec-dpak-smtGreiner weiter: „Die Verwendung von SiC-Leistungshalbleitern in hocheffizienter Leistungselektronik hat zahlreiche Vorteile, etwa die Möglichkeit, mit weniger Bauteilen höhere Stromstärken und Spannungen zu unterstützen. Wenn weniger Bauteile benötigt werden, können Designer zudem niedrigere Systemkosten mit einer höheren Zuverlässigkeit und einem maximalen Wirkungsgrad verbinden.“ Werden sie mit der neuen Serie von 1.200 V SiC-Leistungs-MOSFETs von Cree zu reinen SiC-Designs kombiniert, erlauben es die Schottky-Dioden, hocheffiziente Leistungselektronik-Systeme mit Schaltfrequenzen zu entwicklen, die um den Faktor 5 bis 8 höher sind als bei konventionellen Silizium-Lösungen. „Höhere Schaltfrequenzen aber erlauben die Verwendung kleinerer induktiver und kapazitiver Bauelemente, was die Systeme insgesamt kleiner, leichter und preisgünstiger werden lässt“, ergänzt Greiner.

 

to-252-1200v-z-recDie Schottky-Dioden der Serie C4D02120E von Cree sind für 2 A/1.200 V ausgelegt, die Dioden der Serie C4D05120E für 5 A/1.200 V. Die Modelle der Serie C4D08120E unterstützen 8 A/1.200 V, die Serie C4D10120E eine Stromstärke von 10 A. Der Betriebstemperaturbereich für alle Bausteine der Serie C4DXX120E beträgt ‑55 °C bis +175 °C.

 

Die oberflächenmontierbaren Schottky-Dioden der Serie C4DXX120E sind vollständig qualifiziert und für den Produktionseinsatz freigegeben. Muster und weitere Informationen über die SiC-Leistungsbausteine von Cree gibt es auf www.cree.com/power.

 

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 17. Oktober 2011 um 16:13 Uhr

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