Technologischer Durchbruch: Cree präsentiert 50 A-taugliche Siliziumkarbid-Leistungsbausteine

Hochleistungs-Siliziumkarbid-MOSFETs ermöglichen kostengünstigere Leistungselektroniksysteme und Steigerung der Energieeffizienz

 

München, 18. Mai 2012 — Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), präsentiert eine neue Familie von Siliziumkarbid-Bausteinen (SiC) mit 50 Ampere (A) Nennstrom, darunter der branchenweit erste Z-FET SiC-MOSFET für 1.700 V. Zu diesen neuen 50-A-SiC-Bausteinen gehören zudem ein 1.200 V Z-FET SiC-MOSFET und drei Z-Rec® SiC-Schottkydioden. Die Bausteine ermöglichen eine neue Generation von Leistungssystemen mit nie dagewesener Energieeffizienz und geringen Betriebskosten.

1700v_z-rec_schottky_diode

1700V Z-Rec Schottky Diode

 

Die als Die verfügbaren neuen Bausteine sind für Hochleistungsmodule ausgelegt, welche in Photovoltaik-Wechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen und Antrieben zum Einsatz kommen. Durch die 50 A SiC-Bauelemente von Cree erhalten Ingenieure im Bereich Leistungselektronik die Möglichkeit, durch reduzierte Abmessungen, niedrigere Materialkosten und höheren Wirkungsgrad neue Maßstäbe zu setzen.

1700V Wafer mit Chips

 

„Mit immenser Innovationskraft und profundem Know-How in den Bereichen SiC-Materialtechnologie, Waferverarbeitung und Design von Bauelementen ist Cree in der Lage, völlig neue Wege zu gehen“, betont Cengiz Balkas, Vice President und General Manager bei Cree Power und RF.

„Dank der größeren Die-Abmessungen kommen die Vorteile unserer 20 Amp SiC-MOSFETs nun auch in Leistungsanwendungen bis 500 kW zum Tragen, sodass

weniger leistungsfähige, konventionelle Silizium-IGBTs in Hochleistungs‑ und Hochspannungsanwendungen ersetzt werden können.“

Die neuen SiC-Bausteine setzen eine lange Historie technologischer Innovationen bei Cree fort, zu denen der branchenweit erste 1.200 V SiC-MOSFET und die ersten in Serie produzierten SiC-Schottkydioden mit 1.200 V und 1.700 V Nennspannung gehören.

1200V-zfet_sic_mosfet

1200V Z-FET SiC MOSFET

Zur umfassenden Serie von 50 A SiC-Bausteinen gehören ein 1.700 V MOSFET mit 40 mOhm, ein 1.200 V MOSFET mit 25 mOhm sowie Schottkydioden für 50 A/1.700 V, 50 A/1.200 V und 50 A/650 V. Muster dieser Hochleistungsbausteine sind ab sofort erhältlich, während Produktionsstückzahlen voraussichtlich ab Herbst 2012 verfügbar sein werden.

Weitere Informationen zu den SiC-Leistungsbausteinen von Cree sowie Datenblätter für die als Die lieferbaren Muster können direkt bei Cree über www.cree.com/power angefragt werden.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 18. Mai 2012 um 11:03 Uhr

Tags: , , , , ,

Weitere PMs