Cree präsentiert neue Generation der 50-V-GaN-HEMT-Technologie

Transistoren ermöglichen signifikante Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen

 

München, 8. November 2012 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt eine Palette neuer High Electron Mobility Transistoren (HEMT) auf Basis von Galliumnitrid (GaN) für den Spannungsbereich bis 50 Volt vor. Die innovative Technologie von Cree ermöglicht eine deutliche Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen. Weltweit fließen etwa 100 Terawattstunden (TWh) Strom in den Betrieb der Mobilfunknetze. Das entspricht Betriebskosten von rund 12 Milliarden US-Dollar (ca. 9,37 Mrd. Euro). Davon entfallen 50 bis 80 Prozent auf den Strombedarf der Leistungsverstärker und die Feed-Infrastruktur der Mobilfunksysteme. Mit den 50-V-GaN-HEMT von Cree konnte bei Leistungsverstärkern in Mobilfunkbasisstationen bei 2,6 Gigahertz (GHz) mit den neuesten 4G LTE-Signalen gegenüber herkömmlichen Technologien eine Leistungsverbesserung von mehr als 20 Prozent nachgewiesen werden. Durch diese Effizienzsteigerung könnten pro Jahr geschätzte 10 TWh eingespart werden. Das entspricht der Leistung von zwei Kernkraftwerken.

Mit der neuen 50-V-GaN-HEMT-Technologie von Cree können nicht nur die Betriebskosten, sondern auch die Systemanschaffungskosten signifikant gesenkt werden. So kann ein Leistungsverstärker mit höherer Effizienz durch die vereinfachte Kühlung die Systemkosten von Geräteherstellern (OEMs) weiter reduzieren. Zudem sind die GaN-Komponenten für höhere Spannungen geeignet, was die Kosten für AC/DC- und DC/DC-Wandler weiter senkt. Insgesamt sind bei den Materialkosten Einsparungen von bis zu 10 Prozent möglich, wodurch die Systemkosten deutlich fallen.

„Unsere 50-Volt-GaN-HEMT-Produkte sind nicht nur für Mobilfunk-Netzbetreiber und OEMs von großem Nutzen, weil sie die Betriebs- und Anschaffungskosten senken, sondern leisten ihren Beitrag, den weltweiten Stromverbrauch zu reduzieren“, sagt Stephan Greiner, Vice President EMEA bei Cree. „Mehrere führende Gerätehersteller im Telekommunikationsbereich haben bereits Niederspannungsversionen unserer Technologie im Einsatz, um die Vorteile für sich zu nutzen. Obwohl sich unsere Produkte noch in einer sehr frühen Einsatzphase befinden, können wir heute den bis dato eingesparten Strom auf geschätzte 2.400 MWh beziffern. Damit konnten 1.400 Tonnen CO2-Emissionen vermieden werden, für deren Kompensation sonst etwa 36.000 Bäume gepflanzt werden müssten.“

Die 50-V-GaN-HEMT-Transistoren von Cree können bei Ausgangsleistungen von 100 W bzw. 200 W betrieben werden. Das Unternehmen hat die Bauteile sowohl für das 1,8 – 2,2 GHz-Frequenzband als auch für das 2,5 – 2,7 GHz-Frequenzband auf den Markt gebracht. Die Komponenten sind von Cree auf optimale Leistung abgestimmt und ermöglichen große Bandbreiten, die sofort verfügbar sind. Die 50-V-GaN-HEMT-Transistoren eignen sich ideal für den Einsatz in hocheffizienten Doherty-Leistungsverstärkern. Hier können Leistungsgewinne von mehr als 18 dB bei 2,14 GHz beziehungsweise 16 dB bei 2,6 GHz erzielt werden.

Weitere Informationen über die neue 50-V-GaN-HEMT-Technologie von Cree sind unter www.cree.com erhältlich. Die Cree 50-V-GaN-HEMT-Transistoren sind derzeit als Gebrauchsmuster verfügbar; die Verfügbarkeit von Produktionsmengen ist für November 2012 geplant.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 8. November 2012 um 10:12 Uhr

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