Cree stellt hoch effizientes Hochfrequenz-Leistungsmodul auf Basis von Siliziumcarbid vor

Branchenweit erstes voll qualifiziertes und produktionsfertiges
Power-Modul aus SiC

 

cr5742-all-sic-cree-power-moduleMünchen, 12. November 2012 – Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, präsentiert mit dem Cree-Power-Modul das industrieweit erste kommerziell verfügbare Leistungsmodul, das komplett aus Siliziumcarbid (SiC) gefertigt ist. Das neue Hochfrequenzmodul ist für Stromstärken von 100 A und eine Sperrspannung von bis zu 1200 V ausgelegt. Cree präsentiert das SiC-Power-Modul auf der Fachmesse Electronica 2012 (13. bis 16. November, Messe München, Halle A5 / Stand 343) erstmals dem Fachpublikum.

Mit dem SiC-Power-Modul unterstreicht Cree erneut die überlegene Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit seiner SiC-Leistungshalbleiter. Dank des neuen Bausteins können nun noch effizientere, kompaktere und leichtere Systeme entwickelt werden. Denn damit fallen die Systemkosten im Vergleich zu Komponenten aus Silizium deutlich niedriger aus.

Das Cree All-SiC-Power-Modul besteht aus SiC-MOSFETs und SiC-Schottky-Dioden in einer Halbbrücken-Schaltung mit 50 mm. Die maximale Sperrschicht-Temperatur beträgt 150° C. Mit seinen SiC-Komponenten eignet sich das Modul für extrem hohe Schaltfrequenzen. Dadurch ist es möglich, die Größe, das Gewicht und die Kosten von Energieumwandlungssystemen zu minimieren. Das neue Power-Modul von Cree wurde bereits mit Schaltfrequenzen von 100 kHz betrieben. Zu den typischen Einsatzgebieten zählen unter anderem Hochleistungswandler, industrielle Antriebssysteme, Solarwechselrichter sowie unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV).

„Unser SiC-Power-Modul für 1200 V und 100 A ergänzt die aktuellen Power-Produktlinien von Cree bestehend aus MOSFETS und Dioden um eine Komponente für High-Power-Anwendungen“, sagt Stephan Greiner, Vice President EMEA bei Cree. „Die hocheffizienten Schaltcharakteristika eines Moduls, das komplett auf SiC basiert, erlauben es, kompaktere Systeme mit geringerem Gewicht und damit niedrigeren Kosten zu entwickeln.“ Gleichzeitig, so Greiner, trage das Cree SiC-Modul dazu bei, den weltweiten Energieverbrauch zu senken. „Durch den Einsatz von SiC-basierten Bausteinen konnte der weltweite CO2-Ausstoß bereits um 1 Million Tonnen reduziert werden“, so Greiner. „Um diese CO2-Menge auf natürliche Weise zu eliminieren, müssten 95 Millionen Bäume gepflanzt werden.“

Das Cree All-SiC-Power-Modul ist ab sofort über Digi-Key und Mouser (CAS100H12AMI) erhältlich. Kunden seiner Power-Module stellt Cree auch Muster von Gate-Treiberbausteinen zur Verfügung.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 12. November 2012 um 15:58 Uhr

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