Cree präsentiert SiC-MOSFETs der zweiten Generation

Bauelemente bieten doppelte Stromtragfähigkeit bei gleichen Kosten

 

CRC020 Gen 2 MOSFET PRMünchen, 14. März 2013 – Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, gibt die Einführung seiner zweiten SiC-MOSFET-Generation bekannt. Diese sorgt auf dem Preisniveau von Systemen, die auf Silizium-Bauelementen basieren, für mehr Energieeffizienz und geringere Systemabmessungen. Zu den halben Kosten der vorigen MOSFET-Generation von Cree zeichnen sich die neuen 1.200-V-MOSFETs durch branchenführende Leistungsdichte und Schalt-Effizienz aus. Mit diesem Preis-Leistungs-Verhältnis ermöglichen sie OEMs die Senkung der Systemkosten und verhelfen den Endanwendern, infolge des höheren Wirkungsgrads und der geringeren Installationskosten, zu weiteren Einsparungen. Letztere resultieren aus den kleineren Abmessungen und dem reduzierten Gewicht SiC-basierter Systeme.

 

„Wir haben die zweite SiC-MOSFET-Generation von Cree in unseren hochentwickelten Photovoltaik-Schaltungen evaluiert“, sagt Prof. Dr. Bruno Burger vom Fraunhofer Institut in Freiburg. „Diese Bauelemente verkörpern in ihrer Umwandlungs-Effizienz den neuesten Stand der Technik und lassen sich mit höherer Schaltfrequenz betreiben, sodass die Abmessungen der passiven Bauelemente, und hier insbesondere der Induktivitäten, kleiner werden. Das Preis-Leistungs-Verhältnis von PV-Wechselrichtern verbessert sich hierdurch erheblich und ermöglicht kompaktere, leichtere und effizientere Systeme.“

Dank der herausragenden Leistungsfähigkeit dieser neuen SiC-MOSFETs lässt sich der benötigte Nennstrom einiger Hochleistungs-Anwendungen um 50 bis 70 Prozent reduzieren. Bei geeigneter Optimierung können die Kunden die Performance-Vorteile von SiC mit einem Kostenaufwand nutzen, der auf dem gleichen Niveau liegt oder sogar niedriger ist als bei früheren Silizium-Lösungen. Bei PV-Wechselrichtern und unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USVs) wird der gesteigerte Wirkungsgrad von einer Größen- und Gewichtsreduzierung begleitet. In Motortreiber-Anwendungen lässt sich die Leistungsdichte mehr als verdoppeln, während auch der Wirkungsgrad zunimmt und sich das Drehmoment gegenüber vergleichbar dimensionierten Silizium-Lösungen bis um den Faktor zwei erhöht. Das Produktangebot wurde außerdem ausgeweitet und schließt nunmehr auch einen deutlich größeren 25-mΩ-Die ein, der für leistungsstärkere Module im Bereich von mehr als 30 kW ausgelegt ist. Die 80-mΩ-Version dagegen ist als kostengünstigeres, leistungsfähigeres Upgrade zur ersten MOSFET-Generation konzipiert.

„Wir verzeichnen mit unserer neuen MOSFET-Plattform bereits Design Wins in mehreren Segmenten“, berichtet Cengiz Balkas, Vice President und General Manager des Bereichs Power and RF bei Cree. „Dank der raschen Akzeptanz dieser zweiten SiC-MOSFET-Generation liefern wir früher als geplant Produktionsstückzahlen an mehrere Kunden und werden die Massenproduktion ausgerichtet an der Kundennachfrage hochfahren.”

Es gibt die Bauelemente mit einem 25-mΩ-Die, ausgelegt für 50-A-Bausteine zum Einsatz in Hochleistungs-Modulen, sowie mit einem 80-mΩ-Die. Der 80-mΩ-MOSFET im TO-247-Gehäuse ist als leistungsfähigerer, preisgünstigerer Nachfolger für den CMF20120D der ersten Generation von Cree gedacht. Gehäuste Bauelemente sind bei DigiKey, Mouser und Farnell ab sofort lieferbar. Weitere Informationen erhalten Sie auf www.cree.com/power.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 14. März 2013 um 15:55 Uhr

Tags: , , , , , ,

Weitere PMs