Cree präsentiert die industrieweit leistungsfähigsten SiC-Schottky-Dioden

CPW5 Z-Rec-Dioden von Cree verbinden höhere Effizienz mit niedrigeren Kosten und machen Vorteile von Siliziumkarbid jetzt auch für Power-Systeme im Megawatt-Bereich verfügbar

München, 10. März 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt die neuen, hochleistungsfähigen Siliziumkarbid (SiC) Z-Rec® Schottky-Dioden der Reihe CPW5 vor, bei denen es sich um die erste kommerziell angebotene SiC-Gleichrichterfamilie für 50 A Nennstrom handelt. Die neuen Dioden machen die Kostensenkungen, den hohen Wirkungsgrad, die geringe Systemkomplexität und die verbesserte Zuverlässigkeit der SiC-Technologie jetzt auch für Hochleistungssysteme von 50 kW bis 1 MW verfügbar. Die Bauelemente eignen sich für anspruchsvolle Systeme wie etwa PV-Wechselrichter, Industrienetzteile, Induktionsheizungen, Batterieladestationen, Umrichter für Windkraftanlagen und Traktionswechselrichter.  

1700V 50A sicshottky

1700V-50A-SiC-Schottky-Dioden

Die CPW5 Schottky-Dioden von Cree® wurden entwickelt, um die direkte Anpassung von 50-A-Dioden an MOSFETs oder IGBTs mit 50 A Nennstrom zu erleichtern. Sie machen die Systeme einfacher und senken die Kosten, da sich mehrere für niedrigere Spannungen und Ströme spezifizierte SiC-Schottky-Dioden oder Si-PiN-Dioden durch einen einzigen CPW5-Gleichrichter ersetzen lassen. Weitere Kostensenkungen werden dadurch möglich, dass man Bauelemente mit niedrigerer Spannungsfestigkeit auswählen und auf Snubber-Schaltungen verzichten kann, da die Schaltvorgänge in Siliziumkarbid-Bauelementen geringere Spannungsüberschwinger erzeugen.

„Die SiC-Schottky-Dioden der CPW5-Familie von Cree sind eine entscheidende Komponente unserer hochleistungsfähigen Power-Module und Leistungselektronik-Systeme“, berichtet Ty McNutt, Director of Business Development bei APEI, Inc. „Die niedrige Vorwärtsspannung, die hohe Schaltgeschwindigkeit und der erweiterte Temperaturbereich ermöglichen es uns, die Leistungsdichte und den Wirkungsgrad vieler Applikationen, darunter auch leistungsstarke Antriebe und PV-Wechselrichter, zu verbessern.

Mit den CPW5-Dioden von Cree lässt sich eine neue Generation von Si/SiC-IGBT-Modulen mit hoher Stromtragfähigkeit realisieren. Diese Hybridmodule können die Schaltverluste gegenüber konventionellen Modulen um bis zu 43 % senken. Gleichzeitig verringern sich die Strom- und Spannungsüberschwinger, die Totzeiten beim Schalten und die Kühlanforderungen. Ein Vorteil ist ebenfalls, dass die für konventionelle Module verwendeten Gatetreiber-Designs und -Schaltungen weiterverwendet werden können, was eine einfache und umgehende Implementierung erlaubt. Die CPW5-Dioden von Cree überstehen in Durchlassrichtung außerdem Stromstöße bis maximal 500 A (wiederholend) beziehungsweise 2.000 A (einmalig), was für erhöhte Zuverlässigkeit unter den widrigsten elektrischen Bedingungen sorgt.

„Als einziger Distributor, der SiC-basierte Leistungsbausteine von Cree als Wafer oder Die vertreibt, freuen wir uns, nun auch die Z-Rec Schottky-Dioden der CPW5-Familie anbieten zu können,” sagt Dan Cormack, CEO von SemiDice, Inc. „Wir verzeichnen bei den Kunden eine wachsende Nachfrage nach 50-A-Schottky-Dioden und wissen, dass Cree als weltweiter Spitzenreiter in der Produktion fortschrittlicher SiC-Dioden jene Qualität und Performance bietet, die unsere Kunden erwarten, um Hilfestellung bei der Kosten- und Größenminimierung ihrer Systeme zu erhalten.“

Zu den Z-Rec Schottky-Dioden der CPW5-Familie gehören Versionen für 1.700V/50A, 1.200V/50A, 650V/50A und 650V/30A. Die neuen CPW5-Dioden sind bei SemiDice umgehend als Bare Die verfügbar. Weitere Informationen finden Sie auf www.cree.com/power oder www.semidice.com/OurPartners/CreeInc.asp.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 10. März 2014 um 11:15 Uhr

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