Cree präsentiert zwei neue diskrete 650 V SiC-Gleichrichter

München, 16. Mai 2014 – Cree gibt die Ergänzung seines Portfolios an Z-Rec® Schottky-Dioden durch zwei neue diskrete 650 V SiC-Gleichrichter bekannt. Die neuen Bauelemente, die mit der branchenführenden SiC-Technologie des Unternehmens hergestellt werden, zeichnen sich durch ultrahohe Schaltgeschwindigkeit, erhöhte Effizienz, verbesserte thermische Eigenschaften, gesteigerte Zuverlässigkeit und ein einfacheres Schaltungsdesign aus und ermöglichen kostengünstigere Leistungselektronik-Systeme.

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650 V SiC-Gleichrichter von Cree

Die für 650 V Sperrspannung und einen Dauer-Vorwärtsstrom von 50 A ausgelegte Schottky-Diode C5D50065D von Cree ist das erste Produkt der richtungsweisenden Hochleistungs-Diodenfamilie CPW5 von Cree, das in gehäuster Form auf den Markt kommt. Die im TO-247-3-Gehäuse angebotene C5D5065D verkraftet bei 25 °C einmalige Stromstöße bis zu 2000 A und kombiniert dies mit der hohen Dauerstromfestigkeit der CPW5-Familie. Der 50-A-Gleichrichter eignet sich perfekt für anspruchsvolle Anwendungen wie zum Beispiel Bordladegeräte für den Automotive-Bereich, Server-Netzteile, Power-Conditioner sowie hochzuverlässige Aerospace- und Rüstungs-Applikationen.

Die Schottky-Diode CVFD20065A wurde entwickelt, um durch eine reduzierte Vorwärtsspannung den Wirkungsgrad im Schaltbetrieb zu verbessern. Bei einem Vorwärtsstrom von 20 A hat die CVFD20065A einen nominellen Spannungsabfall von nur 1,35 V bei 25 °C. Sie ist das erste Produkt, das im Rahmen der neuen Familie von Low VF Z-Rec-Schottkydioden von Cree in den Markt eingeführt wird. Cree hat außerdem zusätzliche Maßnahmen getroffen, um die Stromstoßfestigkeit der CVFD20065A zu verbessern. Die Stromstoßfestigkeit von 1.400 A bei 25 °C (10-µs-Impuls) gehört zu den höchsten aller kommerziell angebotenen 20 A/650 V SiC-Schottkydioden. Der 20-A-Gleichrichter besitzt ein TO-220-2-Gehäuse und ist für Sperrspannungen bis 650 V spezifiziert. Mit ihrer verbesserten Schalt-Effizienz und ihrer außergewöhnlich hohen Stromstoßfestigkeit wurde die neue 20-A-Diode für Stromversorgungen in Heizungs-, Lüftungs- und Klimasystemen sowie Schaltnetzteile entwickelt. Sie eignet sich jedoch ebenso für Antriebe und Wechselrichter im Leistungsbereich von 5 bis 10 kW.

Das Datenblatt des 650 V SiC-Gleichrichters C5D50065D finden Sie auf http://www.cree.com/Power/Products/Diodes/TO247/C5D50065D. Zum Kauf gehäuster Versionen der SiC-Diode C5D50065D wenden Sie sich bitte an Digi-Key, Richardson RFPD oder Mouser.

Das Datenblatt des 20 A/650 V SiC-Gleichrichters CVFD20065A finden Sie auf http://www.cree.com/Power/Products/Diodes/TO220/CVFD20065A. Zum Kauf gehäuster Versionen der SiC-Diode CVFD20065A wenden Sie sich bitte an Digi-Key, Richardson RFPD oder Mouser.

Zusätzliche Informationen finden Sie ebenfalls auf www.cree.com/power.

Cree wird auf der diesjährigen PCIM, der internationalen Fachmesse für Leistungselektronik, in Halle 9, Stand 260 weitere Power-Bausteine auf Basis seiner innovativen Siliziumkarbid (SiC)-Technologie präsentieren.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 16. Mai 2014 um 12:11 Uhr

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