Cree stellt den ersten 1.200 V/25 mΩ MOSFET mit TO-247-Gehäuse vor

München, 19. Mai 2014 – Die bisher geltende Grenze für den Einschaltwiderstand von MOSFETs in herkömmlicher 1.200-V-Technologie wurde von Cree jetzt unterboten. Das Unternehmen präsentierte den industrieweit ersten kommerziell angebotenen 1.200-V-MOSFET in Siliziumkarbid-Technologie (SiC) mit einem RDS(on) von 25 mΩ im Industriestandard-Gehäuse des Typs TO-247-3. Der neue MOSFET mit der Bezeichnung C2M0025120D ist insbesondere für den Einsatz in PV-Wechselrichtern, Hochvolt-Gleichspannungswandlern, Induktionsheizsystemen, Ladesystemen für Elektrofahrzeuge sowie CT-Systemen für die Medizin geeignet.

CRC120 1200V Gen 2 MOSFET Family MA

Zweite Generation der SiC-MOSFETs von CREE

Der neue Baustein basiert auf der bewährten SiC-MOSFET-Technologie C2M von Cree. Er ist für einen Pulsstrom (IDS Pulse) von 250 A spezifiziert, mit einem positiven Temperaturkoeffizienten. Ingenieuren wird damit mehr Flexibilität beim Ausloten neuer Designkonzepte eingeräumt. Der hohe Pulsstrom verleiht dem Baustein eine ideale Eignung für gepulste Anwendungen. Dank des positiven Temperaturkoeffizienten lassen sich außerdem mehrere MOSFETs parallelschalten, sollte noch mehr Leistung gefordert sein.

Die Eignung des neuen SiC-MOSFET C2M0025120D für höhere Schaltfrequenzen gibt Designern die Möglichkeit, Größe, Gewicht, Kosten und Komplexität ihrer Leistungselektronik zu verringern. In Medizintechnik-Anwendungen wie etwa CT-Systemen bewirken die C2M-MOSFETs von Cree eine Reduzierung der Schaltverluste um den Faktor 5, verbunden mit einer deutlichen Anhebung der Leistungsdichte. Die geringeren Schaltverluste und der niedrige RDS(on)-Wert verbessern die thermischen Eigenschaften deutlich, sodass Systeme potenziell ohne Lüfter auskommen können. Das Resultat sind leisere und kosteneffektivere bildgebende Systeme für die Medizin.

Cree konnte außerdem nachweisen, dass es mit dem Einsatz des C2M0025120D in String-Wechselrichtern für PV-Anlagen möglich ist, hocheffiziente und kompakte netzgekoppelte PV-Wechselrichter mit 50 kW Leistung und einer spezifischen Leistung von 1 kW/kg zu realisieren. Dies erlaubt die Herstellung von String-Wechselrichtern, die nicht nur deutlich effizienter sind als kommerzielle 50-kW-Systeme in bisheriger Technik, sondern auch nur halb so groß sind und nur die Hälfte wiegen. Bei Wechselrichtern für Dachanlagen sorgt die Gewichts- und Größenreduzierung für erheblich niedrigere Installationskosten.

Mit mehreren Tools leistet Cree Ingenieuren Hilfestellung bei ihren nächsten Designprojekten. Unter anderem werden komplette Referenzdesigns zu empfohlenen Gatetreiber-Schaltungen für SiC-MOSFETs angeboten. Kunden können darüber hinaus die Gatetreiber-Boards Cree CRD-001 erwerben, die unter Verwendung von Industriestandard-Bauelementen eine komfortable Möglichkeit zum schnellen Evaluieren des C2M0025120D bieten. Abgesehen davon sind die MOSFETs kompatibel zu einer Vielzahl von Industriestandard-Gatetreibern führender IC-Hersteller wie etwa TI, Avago und IXYS.

Besucher der PCIM 2014 (20. – 22. Mai 2014 in Nürnberg) können sich in Halle 9, Stand 260 näher über die neuen SiC-MOSFETs von Cree informieren.

Weitere Informationen über die neuen 1.200 V/50 A SiC-MOSFETs von Cree gibt es auf http://www.cree.com/Power/Products/MOSFETs/TO247/C2M0025120D. Zusätzliche Information finden Sie ebenfalls auf www.cree.com/power.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 19. Mai 2014 um 12:45 Uhr

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