Neues Power-Modul von Cree erschließt eine neue Dimension im Preis-Leistungs-Verhältnis von Stromrichtersystemen bis in den Megawattbereich

Rein SiC-bestücktes Halbbrücken-Modul für 300 A und 1,2 kV verdoppelt die Leistungsdichte und macht in Induktionsheizungen, PV-Zentralwechselrichtern und AFE-Antrieben Wirkungsgrade bis zu 99 Prozent möglich 

Das neue 300 A / 1,2 kV Halbbrücken-Modul

Das neue 300 A / 1,2 kV Halbbrücken-Modul

München, 27. Mai 2014 – Die Siliziumkarbid-Technologie (SiC) von Cree, einem führenden Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, lässt mit einem neuen, rein SiC-bestückten 300 A / 1,2 kV Halbbrücken-Modul die Herstellung immer kompakterer, leichterer, effizienterer und kostengünstigerer Leistungselektronik-Systeme zu. Das neue Modul im 62-mm-Industriestandardgehäuse reduziert die auf das Schalten zurückzuführenden Verluste gegenüber entsprechenden Silizium-Lösungen auf weniger als ein Fünftel. Diese klassenbeste Effizienz ebnet erstmals den Weg zu vollständig mit SiC-Halbleitern aufgebauten Stromrichtern mit Leistungen bis in den Megawattbereich, sodass Cree seine führende Stellung in der SiC-Chip-Technologie nun auch auf Hochstrom-Module ausdehnt.

„Die Drop-in-Kompatibilität des neuen reinen SiC-Power-Moduls von Cree ermöglicht in unseren Induktionsheizsystemen einen Wirkungsgrad von 99 Prozent, während wir die Anzahl der Power-Module um den Faktor 2,5 reduzieren können“, erläutert John K. Langelid, R&D Manager bei EFD Induction. „Unsere Kunden wissen es sehr zu schätzen, dass ihnen diese Vorteile niedrigere Betriebskosten bescheren.“

Dank der richtungsweisenden Schalt-Effizienz und Leistungsfähigkeit des neuen ‚All-SiC‘-Moduls im 62-mm-Standardgehäuse kommen Designer mit weniger magnetischen Bausteinen und kühlenden Elementen aus. Dies verdoppelt die Leistungsdichte und senkt die Systemkosten, was wiederum die Betriebskosten für die Endkunden verringert. Mithilfe einer vereinfachten Two-Level-Topologie macht das neue Modul außerdem Investitionen in Multi-Level-Lösungen auf Siliziumbasis überflüssig.

CRC162 62mm C2M Modul und Gate-Treiber

CRC162 62mm C2M Modul und Gate-Treiber

Das neueste SiC-Power-Modul von Cree wird mit mehreren Gatetreiber-Optionen angeboten und ist kompatibel zu standardmäßigen 62-mm-Halbbrücken-Modulen, darunter auch IGBT-Module mit Nennströmen von 450 A und mehr. Entwickler können die beispiellosen Fähigkeiten des neuen Moduls somit schnell und einfach evaluieren.

„Das neue Halbbrücken-Power-Modul im 62-mm-Gehäuse ist ein weiteres Beispiel für die Bestrebungen von Cree zur Kommerzialisierung SiC-basierter Leistungselektronik“, sagt Cengiz Balkas, General Manager und Vice President bei Cree Power and RF. „Aufbauend auf unserem Erfolg bei den großflächigen SiC-Leistungsbausteinen haben wir die Vorteile von SiC-Power-Modulen nun auch für den Leistungsbereich von 100 kW bis 1 MW erschlossen, sodass wir jetzt Anwendungen wie etwa Induktionsheizsysteme, PV-Zentralwechselrichter und Active-Front-End-Antriebe adressieren können. Da die neuen Power-Module überdies mit einem bahnbrechenden Preis-Leistungs-Niveau angeboten werden, ergeben sich in diesen Anwendungsbereichen umgehende Kosteneinsparungen.“

Das neue 300 A / 1,2 kV Halbbrücken-Modul in reiner SiC-Ausführung ist unter der Typenbezeichnung CAS300M12BM2 bei den Cree Distributoren erhältlich. Bei einer Abnahmemenge von 1000 Stück liegt der empfohlene Verkaufspreis bei 451,00 US Dollar. Passende Gate-Treiber sind bei Cree und Prodrive lieferbar. Auf www.cree.com/power/CAS300M12BM2 stehen weitere Informationen, Links zu Datenblättern und Applikationsschriften zur Verfügung.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

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