Cree stellt für kostengünstige Radar- und Datenverbindungs-Anwendungen GaN-Transistoren im Kunststoffgehäuse mit den höchsten Leistungs- und Frequenzwerten vor

Kleinere HF-Transistoren sind idealer Ersatz für GaAs-IMFETs und kommerzielle Röhren in Verstärkern mit bis zu 100 W Leistung im Dauerstrichbetrieb und Frequenzen bis zu 10 GHz

München, 2. Juni 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, präsentiert HEMT-Hochfrequenztransistoren auf GaN-Basis mit der höchsten Dauerstrichleistung im DFN-Format (Dual-Flat No-Leads). Die neuen DFN-Transistoren mit Leistungen von 6 W und 25 W zielen auf den kostensensiblen Markt der Verstärker für kommerzielle Radar- und Datenverbindungssysteme unter 100 W. Ineffiziente GaAs-Transistoren für das C- und das X-Band werden damit praktisch überflüssig. Darüber hinaus steht nun ein praktikabler Ersatz für die kurzlebige Röhrentechnik in kommerziellen Radarsystemen beispielsweise für Wetter-, Schifffahrts- und Überwachungsanwendungen zur Verfügung.

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HEMT-Hochfrequenztransistoren auf GaN-Basis

Die GaN-DFN-Transistoren von Cree basieren auf dem bewährten 40-V-Hochfrequenzprozess des Unternehmens mit 0,25 µm Gatterlänge. Sie bieten nahezu die doppelte PSAT-Effizienz und Transistorverstärkung von GaAs-IMFETs, verbunden mit einem fast 20-mal kleineren Gehäuse und vergleichbaren Leistungs- und Frequenzwerten. In kapazitätsstarken Mikrowellen-Datenverbindungen beispielsweise für die Firmen- und Richtfunk-Kommunikation sowie luftgestützte Kommunikationssysteme sorgen die neuen Transistoren für mehr Reichweite, während sie gleichzeitig die doppelte lineare Effizienz bieten wie Verstärker auf GaAs-Basis. Der Effizienzgewinn verleiht Entwicklern von HF-Systemen die nötige Flexibilität, um Verstärker kleiner und leichter zu konstruieren, was zu erhebliche Einsparungen bei den Betriebs- und Lebenszykluskosten führt.

„Jahrelang litten kommerzielle Mikrowellen-Radarsender unter der eingeschränkten Lebensdauer von Röhrenverstärkern, die erhebliche Instandhaltungskosten verursachten. Kapazitätsstarke Datenverbindungen waren in der Vergangenheit stets auf ineffiziente GaAs-IMFETs angewiesen“, sagt Tom Dekker, Director of RF Sales and Marketing bei Cree, Inc. „Unsere neuen GaN-Transistoren im DFN-Format warten zu einem erschwinglichen Preis mit herausragenden Effizienz- und Leistungswerten auf, sodass in kostensensiblen kommerziellen Systemen geringerer Leistung nun erstmals auf diese althergebrachten Techniken verzichtet werden kann.“

Die neuen DFN-Bausteine eignen sich auch hervorragend als Treiber für die populären, vollständig angepassten X-Band-FETs CGHV96100 und CGHV96050F2, sodass die Transistoren der Ausgangs- und der Treiberstufe an derselben Spannung betrieben werden können. Verglichen mit einer Lösung, in der die Transistoren unterschiedliche Spannungen benötigen, erlaubt dies eine komfortable Verteilung nur einer geregelten Spannung sowie eine Reduzierung der Leiterplattenfläche.

Muster sowie Referenzdesigns für C- und X-Band-Anwendungen mit den GaN-DFN-Transistoren CGHV1F006S (6 W) und CGHV1F025S (25 W) sind verfügbar. Außerdem gibt es Großsignal-Modelle für die Simulation mit Agilent ADS und AWR Microwave Office.

Auf www.cree.com/affordableGaN sind weitere Produktinformationen abrufbar.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 2. Juni 2014 um 13:20 Uhr

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