Cree präsentiert zwei neue 50 V HEMTs auf Galliumnitrid-Basis

München, 01. Oktober 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat zwei 50 V HEMTs (High Electron Mobility Transistors) auf Galliumnitrid-Basis (GaN) vorgestellt, die keine Impedanzanpassung haben und sich ideal für den Einsatz in Breitbandverstärkern, Dauerstrich- und gepulsten Anwendungen hoher Leistung eignen.

Die Bausteine zeichnen sich neben hoher Effizienz, hoher Verstärkung und Breitbandtauglichkeit auch durch eine hohe Leistungsdichte, geringe parasitäre Effekte und eine hohe Transitfrequenz (fT) aus. Damit verbessern die Produkte CGHV40030 (30 W) und CGHV40100 (100 W) ganz erheblich die Effizienz- und Bandbreiten-Eigenschaften von Verstärkern mit einer mehrere Oktaven überspannenden Bandbreite sowie eines breiten Spektrums von L- und S-Band-CRC200 50V Broadband GaN HEMT MAProdukten. Die beiden 50 V GaN-Transistoren für 30 W beziehungsweise 100 W sind außerdem wahlweise im Flange oder Pill Package mit zwei Anschlüssen verfügbar.

Der Transistor CGHV40030 ist für eine Ausgangsleistung von normalerweise 30 W und Frequenzen bis 6 GHz ausgelegt. Er erreicht eine Verstärkung von 16 dB bei 1,2 GHz. Ein Breitband-Referenzdesign für 0,96 bis 1,4 GHz ist verfügbar. Als Baustein ohne Impedanzanpassung, eignet sich der CGHV40030 hervorragend für eine breite Palette von L-, S-, und C-Band-Verstärkern. In Breitband-Anwendungen erreicht der 30 W GaN-Transistor beispielsweise einen Wirkungsgrad von 65 %.

Der Transistor CGHV40100 empfiehlt sich als universelle, breitbandige Lösung für eine Vielzahl von HF- und Mikrowellen-Anwendungen. Besonders geeignet ist er jedoch für lineare und komprimierte Verstärkerschaltungen. Er erreicht eine minimale Ausgangsleistung von 100 W, kann mit bis zu 3 GHz arbeiten und kommt auf eine Kleinsignal-Verstärkung von 18 dB bei 2,0 GHz. Das zu dem Baustein verfügbare Breitband-Referenzdesign ist für einen Frequenzbereich von 0,5 bis 2,5 GHz vorgesehen und erreicht eine Mindestleistung von 100 W (im Dauerstrichbetrieb) sowie einen Wirkungsgrad zwischen 55 und 65 %.

Die Datenblätter der neuen 50 V GaN HEMTs sind unter folgenden Links zu finden: http://www.cree.com/RF/Products/General-Purpose-Broadband-50-V/Packaged-Discrete-Transistors/CGHV40030 und http://www.cree.com/RF/Products/General-Purpose-Broadband-50-V/Packaged-Discrete-Transistors/CGHV40100.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 1. Oktober 2014 um 12:20 Uhr

Tags: , , , , , ,

Weitere PMs