Cree stellt das industrieweit erste 1,7 kV Power Modul in reiner SiC-Technik vor

Das neue Halbbrücken-Modul ermöglicht nie dagewesene Kosten- und Größenreduzierungen in Hochleistungsantrieben und netzgekoppelten Wechselrichtern

München, 08. Oktober 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, baut seine Spitzenstellung auf dem Gebiet der Leistungshalbleiter auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC) weiter aus und präsentiert das industrieweit erste, ausschließlich aus SiC-Komponenten aufgebaute 1,7 kV Power Modul im 62-mm-Industriestandardgehäuse.

CAS300M17BM2smDas neue Halbbrücken-Modul nutzt die Großflächen-SiC-Chiptechnologie C2M™ von Cree und zeichnet sich durch einen eindrucksvoll niedrigen Einschaltwiderstand von 8 mΩ und eine gegenüber der existierenden Silizium-Modultechnologie um den Faktor 120 gesteigerte Schalt-Effizienz aus. Es kann Si-IGBT-Module mit Nennströmen von 400 A und mehr ersetzen. Die bahnbrechende Performance des rein SiC-basierten 1,7 kV Power Moduls gibt Ingenieuren die Möglichkeit, Abmessungen und Kosten der magnetischen Bauelemente und der Kühlkomponenten zu reduzieren und gleichzeitig ein überragendes Maß an Systemeffizienz und Zuverlässigkeit zu erzielen. Im Unterschied zu bestehenden siliziumbasierten Systemen in Antrieben sowie PV-Wechselrichtern für die Netzeinspeisung und EVUs ebnet das neue Cree Power Modul den Weg zur Senkung der Produktionskosten und zur Entwicklung kleinerer, leichterer Produkte mit einem niedrigeren Total Cost of Ownership.

„Die Einführung des vollständig SiC-basierten 1.700 V Power Moduls von Cree schafft die Voraussetzungen dafür, dass sich SiC-Bauelemente zu den bevorzugten Schaltbausteinen für Hochleistungsantriebe entwickeln“, sagt Devin Dilley, Director of Medium Voltage R&D bei Vacon, einem weltweit tätigen Anbieter auf dem Markt für Wechselstromantriebe der Premiumklasse. „Der Einsatz dieser Module in SiC-basierten Antrieben wird es möglich machen, Größe und Kosten der Filterbausteine um bis zu 40 % zu reduzieren und gleichzeitig die Systemeffizienz zu steigern.“

Die herausragende Schalteffizienz und Spannungsfestigkeit ermöglicht einfachere zweistufige Topologien, die sich für höhere Frequenzen eignen. Damit erübrigen sich Investitionen in komplexe, mehrstufige Lösungen auf Siliziumbasis. Die mit dem neuesten Halbbrücken-Modul von Cree erzielbare hohe Leistungsdichte sorgt ferner dafür, dass sich die Implementierung modularer Systemdesigns weiter vereinfacht. Außerdem werden eine extrem kurze Mean Time To Repair und eine dementsprechend hohe allgemeine Systemverfügbarkeit möglich.

„Unser neuestes Modul bekräftigt das Bestreben von Cree, den Wünschen seiner Kunden und der Nachfrage der Industrie nach niedrigeren Systemkosten Rechnung zu tragen“, sagt Cengiz Balkas, General Manager und Vice President bei Cree Power and RF. „Durch die Nutzung unserer modernen SiC-Technologie schafft das Power Modul Portfolio von Cree die Voraussetzungen für mehr Effizienz, verbesserte Zuverlässigkeit und einen reduzierten Total Cost of Ownership.“

Das neue, rein SiC-basierte 1,7 kV Halbbrücken-Modul mit 8 mΩ Einschaltwiderstand ist unter der Typenbezeichnung CAS300M17BM2 bei den Distributoren von Cree ab Lager verfügbar.

Dazu passende Gatetreiber-Boards wurden in Zusammenarbeit mit PRODRIVE Technologies B.V. entwickelt, einem in den Niederlanden ansässigen Innovator im Design und in der Produktion von Leistungssystemen. Die Boards sind entweder über die Vertriebskanäle von Cree oder direkt bei PRODRIVE Technologies B.V. erhältlich. Weitere Informationen sowie Zugang zu Datenblättern und Anwendungshinweisen sind unter folgendem Link zu finden:

http://www.cree.com/Power/Products/SiC-Power-Modules/SiC-Modules/CAS300M17BM2.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 8. Oktober 2014 um 12:08 Uhr

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