Power Module von Cree revolutionieren Wechselrichterplattform für ein Stromerzeugungssystem

Rein SiC-basiertes 1,2 kV Six-Pack ermöglicht Wechselrichter mit 50 Prozent weniger Verlusten und 40 Prozent höherer Ausgangsleistung

München, 28. Oktober 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat seine preisgekrönte Familie von 1,2 kV Six-Pack Power Modulen auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC) um ein neues, rein SiC-basiertes 20-A-Modul erweitert, das sich ideal für Drehstrom-Anwendungen mit Leistungen von 5 bis 15 kW eignet. Auf der Basis der C2M SiC MOSFET-Technologie und der Z-Rec SiC Schottkydioden-Technologie von Cree gibt das Six-Pack Modul Designern die Möglichkeit, die bei Si-basierten Wechselrichtern in industriellen Umrichtersystemen bestehenden Einschränkungen bezüglich der Leistungsdichte, der Effizienz und der Kosten zu überwinden.

CRC231 1200V 20A SiC Power Module

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Die Firma Cummins, ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich der Stromerzeugungssysteme, hat die Fähigkeiten der rein SiC-basierten 1,2 kV Six-Pack Power Modul-Familie von Cree in seiner Wechselrichterplattform geprüft und bestätigt. Die Ingenieure bei Cummins arbeiten außerdem daran, diese Fähigkeiten in ihren hocheffizienten Produkten der nächsten Generation zu nutzen und auszuschöpfen.

„Die neue Familie rein SiC-basierter 1,2 kV Six-Pack Power Module von Cree wird es uns ermöglichen, die Nennleistung unserer klassenbesten Wechselrichter um 40 Prozent anzuheben, die Verlustleistung um 50 Prozent zu senken und den Wirkungsgrad um 5 Prozent zu steigern“, erklärt Brad Palmer, Power Electronics Product Line Architect bei Cummins. „Dieses neue Power Modul stellt eine wichtige technologische Weiterentwicklung dar und übertrifft mit seinem viermal so hohen Nennstrom die Leistungsfähigkeit Si-basierter IGBT-Module. Wir haben gern die Gelegenheit genutzt, diese Technologie als einer der ersten zu testen, und freuen uns darauf, sie in unseren Produkten einzusetzen.“

Das neue, vollständig SiC-basierte Six-Pack für 1,2 kV und 20 A weist die industrieweit geringsten Schaltverluste auf. Gründe hierfür sind der Wegfall des Stromschweifs im MOSFET und des Sperrverzögerungsstroms in der Schottkydiode. Verglichen mit ähnlichen IGBT-Modulen auf Siliziumbasis arbeitet das neue 20 A Six-Pack Modul von Cree mit einer deutlich niedrigeren Sperrschichttemperatur. Designer können deshalb aktiv neue Paradigmen zur Anhebung der Schaltfrequenz und der Leistungsdichte verfolgen, ohne Abstriche am Wirkungsgrad machen zu müssen.

„Mit unseren SiC-basierten Power-Produkten können unsere Kunden die schon lange bestehenden Design-Herausforderungen überwinden und eine herausragende System-Performance erzielen, die mit Si-basierten Systemen einfach nicht möglich ist“, sagt Cengiz Balkas, General Manager und Vice President bei Cree Power and RF. „Die Ergebnisse, die Cummins mit unseren rein SiC-basierten Six-Pack Modulen erzielt hat, ebnen den Weg zu der hohen Performance, die die Voraussetzung für die Entwicklung effizienter und kosteneffektiver Umrichterprodukte der nächsten Generation ist.“

Das neue, rein SiC-basierte 1,2 kV / 20 A Six-Pack Power Modul (Typenbezeichnung CCS020M12CM2) und das zugehörige Gate Driver Evaluation Board CGD15FB45P sind bei autorisierten Distributoren verfügbar.

Auf http://www.cree.com/Power/Products/SiC-Power-Modules/SiC-Modules/CCS020M12CM2 finden Sie weitere Informationen sowie Links zu Datenblättern, ergänzenden Unterlagen und Applikationsschriften.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 28. Oktober 2014 um 14:54 Uhr

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