Cree stellt die leistungsstärksten GaN-HEMTs für das C-Band vor

München, 18. November 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat den ersten Galliumnitrid (GaN)-Transistor der Industrie für die Troposcatter-Kommunikation vorgestellt. Der Baustein ist für eine Leistung von 200 W im Dauerstrichbetrieb sowie für Frequenzen von 4,5 bis 5,0 GHz ausgelegt. Der neue GaN-HEMT (High Electron Mobility Transistor) des Typs CGHV50200F ist außerdem der leistungsstärkste Transistor der Industrie für C-Band-Applikationen wie zum Beispiel die Satellitenkommunikation.

CGHV50200FDie neuen, intern auf 50 Ω angepassten 200 W GaN-HEMTs zeichnen sich durch hohe Leistung, Effizienz und Verstärkung sowie eine große Bandbreite aus. Mit einer typischen PSAT von 180 W, einer typischen Leistungsverstärkung von 11,5 dB und einem typischen Wirkungsgrad von 48 Prozent schaffen diese Transistoren die Voraussetzungen dafür, Wanderfeldröhren-Verstärker in Satellitenfunksystemen durch SSPAs (Solid State Power Amplifiers) zu ersetzen. GaN-bestückte SSPAs sind kleiner, leichter und deutlich langlebiger als Wanderfeldröhren. Sie können deshalb das Gewicht des Gesamtsystems senken und außerdem die Betriebs- und Ersatzteilkosten reduzieren.

Die neuen 200 W GaN-HEMTs vom Typ CGHV50200F werden in Keramik/Metallflansch-Gehäusen (Typ 440215) mit den Maßen 23,75 .. 24,26 mm x 23, 01 mm mit Gain und Drain (bzw. 17,25 .. 17,55 mm ohne) geliefert.

Weitere Informationen sowie Datenblätter zu den neuen GaN-HEMTs sind unter http://www.cree.com/RF/Products/Satellite-Communications/Packaged-Discrete-Transistors/CGHV50200F verfügbar.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 18. November 2014 um 10:01 Uhr

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