Cree stellt die leistungsstärksten 50 V GaN-HEMTs der Industrie mit 320 W vor

München, 08. Januar 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat seine Familie diskreter 50 V GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) Chips durch drei neue Produkte erweitert – eine Version mit 20 W/6 GHz, eine mit 75 W/6 GHz und eine mit 320 W Leistung und 4 GHz. Die Familie besteht damit insgesamt aus fünf Chips, von denen die beiden ersten im vergangenen September eingeführt wurden. Es handelt sich dabei um die einzigen gehäuselosen 50 V GaN-HEMT-Chips, die auf dem allgemeinen Markt angeboten werden.

CRC272 50V GaN HEMT Die Family Extension MA

Cree CRC272 50V GaN-HEMT

Die von Cree angebotene Familie von 50 V GaN-HEMT-Chips in 0,4-µm-Technologie bietet den Designern von Hybridverstärkern über einen großen Bereich von Momentanfrequenzen hinweg mehr Verstärkung, Effizienz und Leistungsdichte. Sie stellt damit eine Alternative zu Silizium- (Si) und Galliumarsenid-Technologien (GaAs) dar. Weitere Performance-Vorteile sind die höhere Durchbruchspannung, Wärmeleitfähigkeit und gesättigte Elektronen-Driftgeschwindigkeit.

Die neuen 50 V GaN-HEMT-Chips mit Leistungen von 20 W, 40 W, 75 W und 170 W bieten bei 6 GHz eine typische Kleinsignal-Verstärkung von 17 dB und eine typische PAE (Power-Added Efficiency) von 60 Prozent bzw. bei 4 GHz eine typische Kleinsignal-Verstärkung von 18 dB und eine typische PAE von 65 Prozent. Die neuen Chips mit 20 W und 75 W Leistung eignen sich für private Funksysteme, Breitband-Verstärker, Mobilfunk-Infrastrukturen, Prüfinstrumente und Klasse-A-Linearverstärker. Der 40-W-Chip kann ebenfalls in Mobilfunk-Infrastrukturen eingesetzt werden, während die 170-W-Version in taktischen und Satellitenkommunikationssystemen sowie Breitband-ISM-Verstärkern (Industrial, Scientific, and Medical) verwendbar ist.

Der für den Betrieb bis 4 GHz ausgelegte 50 V GaN-HEMT-Chip mit 320 W kommt bei 4 GHz auf eine typische Kleinsignal-Verstärkung von 19 dB und einen typischen PAE-Wert von 65 Prozent. Er eignet sich ebenso wie die Version mit 170 W hervorragend für taktische und Satellitenkommunikationssysteme sowie Breitband-ISM-Verstärker. Darüber hinaus sind alle 50 V Chips der aktuellen Produktfamilie perfekt für den Einsatz in Klasse-AB-Linearverstärkern geeignet.

Die 50 V GaN-HEMT-Chips von Cree werden in Gel-Pak Vacuum Releas Trays geliefert. Die nicht-klebende Membran fixiert die Bauelemente und verhindert auf diese Weise Beschädigungen bei Transport und Lagerung. Die Lieferung erfolgt zu jeweils 10 GaN-HEMT-Chips pro Tray. Informationen zur Bestückung enthält die zum Download verfügbare Applikationsschrift „Eutectic Die Bond Procedure“ (http://www.cree.com/RF/Document-Library).

Weitere Informationen zur erweiterten Familie von 50 V GaN-HEMT-Chips sowie Datenblätter und Anwenderhinweise sind unter nachfolgendem Link zu finden:

http://cree.com/RF/Products/General-Purpose-Broadband-50-V

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von alicandro am 8. Januar 2015 um 11:03 Uhr

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