Cree stellt vier neue 650 V SiC Schottkydioden vor

München, 04. Februar 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat das industrieweit umfangreichste Portfolio an SiC Schottkydioden um vier neue 650 V Dioden erweitert. Die neuen Bausteine wurden als Reaktion auf die Nachfrage der Stromversorgungsindustrie nach Bauteilen mit einer Nennspannung knapp über 600 V entwickelt. Die 650 V Cree Z-Rec SiC Schottkydioden schaffen die Voraussetzungen für hocheffiziente Power-Systeme mit verbesserter Zuverlässigkeit, mehr Einfachheit und niedrigeren Gesamtkosten.

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CRC321 650V SiC Schottkydioden von Cree

Zu den vorteilhaften Features der neuen Dioden gehören ein Sperrverzögerungsstrom von null, die Eignung für hohe Frequenzen bei geringem EMI-Aufkommen, das temperaturunabhängige Schaltverhalten, die geringeren Entwärmungs-Anforderungen und die deutlich besseren Stoßstrom- und Avalanche-Eigenschaften. Die Bauelemente zeichnen sich außerdem durch eine höhere Effizienz aus als vergleichbare Siliziumdioden. Es fallen praktisch keine Schaltverluste an, und der positive Temperaturkoeffizient von VF erlaubt das Parallelschalten mehrerer Bauelemente ohne das Risiko des thermischen Durchgehens.

Die neuen 650 V Z-Rec-Dioden der Typen C3D06065E (6 A), C3D08065E (8 A) und C3D10065E (10 A) von Cree wurden entwickelt, um dem Wunsch der im Bereich der Power-Systeme tätigen Ingenieure nach höherer Stromfestigkeit und kompakteren oberflächenmontierbaren Gehäusen Rechnung zu tragen. Die Gehäuse vom Typ TO-252-2 (DPAK) weisen einen kleineren Footprint auf als viele der vergleichbaren Dioden, die es derzeit auf dem Markt gibt. Mit ihrem Sperrverzögerungsstrom von null und ihrer extrem hohen Schaltgeschwindigkeit ermöglichen die neuen 650 V Bausteine eine passgenaue Dimensionierung der Diode zur Optimierung der Kosten und der Performance in Schaltnetzteilen, PFC-Schaltungen (Power Factor Correction) und Antrieben, um nur einige Beispiele zu nennen. Die neuen Dioden können außerdem SiC-Schottkydioden-Baugruppen für Durchsteckmontage überflüssig machen und die Voraussetzungen dafür schaffen, neue 650 V Designs insgesamt kompakter zu gestalten.

Die drei Dioden besitzen darüber hinaus die Automotive-Qualifikation gemäß AEC-Q101 und eignen sich ideal für die Leistungsfaktor-Korrektur und Bord-Umrichtersysteme (z. B. Ladegeräte, Gleichspannungswandler, Wechselrichter usw.) in Fahrzeugen mit Hybrid- und Elektroantrieb. Im Unterschied zu den Mitbewerbern, deren Automotive-qualifizierte Dioden meist unter separaten Typennummern zu höheren Preisen angeboten werden, besitzen rund 90 Prozent des C3D Schottkydioden-Portfolios von Cree schon immer ohne Mehrkosten die Automotive-Freigabe. Eine vollständige Liste der Automotive-qualifizierten Dioden von Cree, die mit fünf verschiedenen Kunststoffgehäusen, zwei Nennspannungen (600 V und 650 V) und einem großen Nennstrombereich von 2 A bis 20 A angeboten werden, finden Sie auf der Cree Power Website.

Als vierte neue 650 V Diode kommt von Cree die C3D06065I, eine intern isolierte Z-Rec Schottkydiode für 6 A und 650 V. Sie ist eine Alternative zu Full-Pack-Dioden und ergänzt die bereits angebotenen, äußerst erfolgreichen Typen C3D08065I (8 A) und C3D10065I (10 A). Das TO-220-Gehäuse mit interner Keramikisolation, das es nur bei Cree für Schottkydioden gibt, bietet eine Isolationsspannung von 2,5 kV. Die neue intern isolierte Diode für 6 A und 650 V wartet außerdem mit größeren Betriebsbereichen und besseren Fähigkeiten auf als vergleichbare Full-Pack-Dioden (unter anderem deutlich höhere Maximaltemperaturen und größere Verlustleistung). Da außerdem keine externe Isolierfolie zwischen Diode und Kühlkörper erforderlich ist, sorgt diese neue Diode für ein einfacheres Design und niedrigere Kosten und unterstützt die effiziente Fertigung von HVAC- und PFC-Systemen und Schaltnetzteilen.

Weitere Information über die neuen 650V Z-Rec SiC Schottky Dioden sind auf den Produktseiten unter www.cree.com/power mit Datenblättern, Anwendungsnotizen, Demo-Boards und Designdaten zu finden.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 4. Februar 2015 um 10:36 Uhr

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