Cree SiC-Technologie ermöglicht deutliche Reduzierung von Größe, Gewicht und Kosten bei PV-Wechselrichtern

Cree MOSFET- und Diodentechnologien auf SiC-Basis sorgen für höheren Wirkungsgrad und bis zu 15 Prozent Kostensenkung bei einem Fünftel der Abmessungen und des Gewichts vergleichbarer Silizium-Technologien

Cree SiC MOSFETs für Solarwechselrichter

Cree SiC MOSFETs für Solarwechselrichter

München, 25. März 2015 – Cree, führender Anbieter von Siliziumkarbid-Powerbausteinen (SiC), hat den Nachweis erbracht, dass seine klassenbesten SiC-MOSFET- und -Diodentechnologien in der Lage sind, in String-Wechselrichtern für Photovoltaikanlagen eine bisher unerreichte Leistungsdichte zu erreichen. Sie ergeben einen extrem hohen Wirkungsgrad von mehr als 99,1 Prozent zu Spitzenzeiten, und dies bei einem Fünftel der durchschnittlichen Abmessungen und des Gewichts heutiger Wechselrichter auf Silizium-Basis.

Die Effizienz, die Zuverlässigkeit und der Stückpreis waren in der Vergangenheit die drei wichtigsten Kennzahlen, welche Designer von PV-Stringwechselrichtern zu optimieren versuchten. In den letzten Jahren zeigte sich jedoch, dass die Größe und das Gewicht ebenfalls großen Einfluss auf die Gesamt-Systemkosten haben. Daher wurden auch diese beiden Parameter in die Liste der für die Designer wichtigen Kennzahlen aufgenommen .

Auf der Basis der neuesten Leistungs-MOSFETs und -Dioden von Cree entwarf das Systems Engineering Team des Unternehmens eine Machbarkeitsstudie für einen Stringwechselrichter mit 50 kW Leistung. Dieser erzielt eine bemerkenswerte Senkung der Verluste um 50 Prozent und arbeitet mit der drei- bis fünffachen Schaltfrequenz, die mit konventioneller Silizium-Technologie derzeit möglich ist. Beide Faktoren zusammen ergeben eine drastische Verringerung der Größe und des Gewichts des Kühlsystems sowie der Filterkomponenten des Wechselrichters. Das Resultat ist eine Senkung des Stückpreises um nahezu 15 Prozent.

Die Anwendung wurde von Cree erstmals auf der Applied Power Electronics Conference (APEC) vorgestellt, die vom 16. bis 18. März 2015 in Charlotte, North Carolina, USA stattfand. Sie zeigt auf höchst anschauliche Weise, wie sich mit den SiC-Leistungsbausteinen von Cree kleinere, schnellere und bessere Leistungselektroniksysteme realisieren lassen. Zu den weiteren Anwendungsgebieten, die erwiesenermaßen von der Cree SiC-Technologie profitieren können, gehören unter anderem industrielle Stromversorgungen und Heizgeräte, Batterieladestationen, Wechselrichter für Windkraftanlagen und Traktionswechselrichter.

Weitere Information zur Cree SiC-Technologie sowie Produktdatenblätter, Broschüren und Ansprechpartner sind unter http://cree.com/Power sowie über lokale Distributoren zu finden.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 25. März 2015 um 11:11 Uhr

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