Cree stellt neuen 50 V Breitband GaN HEMT vor

München, 23. April 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat seine Familie von 50 V GaN HEMT ohne Impedanzanpassung durch eine neue gehäuste 50-W-Version ergänzt. Der Baustein ermöglicht leistungsfähige, breitbandige Lösungen für eine Vielzahl von HF- und Mikrowellen-Anwendungen mit Frequenzen bis 4 GHz, darunter schmalbandige UHF-Applikationen, L- und S-Band-Anwendungen und mehrere Oktaven abdeckende Breitbandverstärker.

CRC481 50V GaN HEMT Extension MA

Der in Flansch- und Pill-Gehäusen mit zwei Anschlüssen verfügbare CGHV40050 zeichnet sich durch einen hohen Wirkungsgrad, hohe Verstärkung und große Bandbreite aus. Ein im Datenblatt enthaltenes HPA-Referenzdesign (High Power Amplifier) demonstriert die Eigenschaften für Frequenzen von 0,8 GHz bis 2,0 GHz. Hohe Leistungsdichte und geringe parasitäre Elemente kommen als weitere Eigenschaften hinzu. Der CGHV40050 erzielt eine typische Ausgangsleistung von 50 W bei Frequenzen bis 4 GHz. Er kommt auf eine Kleinsignal-Verstärkung von 17,5 dB bei 1,8 GHz und einen Wirkungsgrad von 55 % bei PSAT. Er ist für Sperrschichttemperaturen (TJ) bis 225 °C ausgelegt und kann bei Gehäuse-Betriebstemperaturen (TC) von -40 °C bis +80 °C betrieben werden.

Weitere Informationen über den neuen 50 V GaN HEMT von Cree wie etwa elektrische Kenndaten, typische Performance-Werte, Anwendungsschaltpläne sowie der Stückliste und Produktabmessungen finden Sie auf http://cree.com/RF/Products/General-Purpose-Broadband-50-V/Packaged-Discrete-Transistors/CGHV40050.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von alicandro am 23. April 2015 um 14:32 Uhr

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