Neue Application Note von Cree zu Großsignal-Performance

München, 29. April 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat eine neue Applikationsschrift zur Genauigkeit seiner Großsignal-Modelle für HF-Leistungstransistoren herausgegeben. HF-Design-Ingenieure können dadurch die Zahl der Design-Iterationen, die Design-Zeit und die Entwicklungskosten reduzieren. 

Die GaN-HEMTs von Cree werden in immer mehr Bereichen eingesetzt. In Anwendungen wie etwa Breitband-Verstärkern, Mobilfunk-Infrastrukturen, taktischen und Satellitenkommunikations-Systemen sowie Prüfinstrumenten bewähren sich diese Transistoren dank hoher Effizienz, hoher Verstärkung und der relativ unkomplizierten Anpassungseigenschaften. Die Großsignal-Performance dieser Bauelemente vorherzusagen, ist allerdings stets schwierig. Das liegt neben Eigenerwärmung auch an der komplexen Abhängigkeit nichtlinearer Bauelemente-Parameter vom Signalpegel, thermischen Effekten und den Umgebungsbedingungen. Design-Ingenieure müssen deshalb entweder Hardware entwickeln, um zeitraubende und potenziell ungenaue Load-Pull-Messungen durchzuführen, oder sich auf die Genauigkeit von Großsignal-Modellen verlassen, wenn sie diese Bauelemente in ihren Simulationsumgebungen evaluieren.

CRC320 Load Pull App Note MA

Um den Designern den Zeit- und Kostenaufwand von Load-Pull-Messungen zu ersparen und das Risiko zu vermeiden, dass falsche Daten generiert werden, hat Cree für seine GaN-on-SiC-HEMTs mit 100 W und 200 W sorgfältige Vergleiche zwischen modellierten und real gemessenen Daten angestellt. Die Resultate wurden mit einem standardmäßigen Load-Pull-System bei optimalen Impedanzen und über mehrere Frequenzen hinweg verifiziert. Sie demonstrieren die außerordentliche Genauigkeit, mit der die proprietären Großsignal-Modelle von Cree die Performance der realen Bausteine nachbilden. Die hochpräzisen Modelle bieten den HF-Design-Ingenieuren eine wichtige Absicherung und verringern die Entwicklungskosten gegenüber den Load-Pull-Messungen. Zusätzlich ermöglichen sie fundierte Was-wäre-wenn-Analysen, mit denen sich Layout-Lücken schließen lassen, die Design-Zyklen zu beschleunigen und Design-Projekte häufiger gleich im ersten Anlauf zum Erfolg zu führen.

Die Appllication Note und weitere Informationen über die präzisen Großsignal-Modelle von Cree für GaN-on-SiC-HEMT sowie die detaillierte gemessene und modellierte Performance-Daten, finden Sie auf http://mwrf.com/active-components/load-pull-validation-large-signal-cree-gan-field-effect-transistor-fet-model. Für den Download der Großsignal-Modelle von Cree zur Verwendung in Simulations-Tools ist eine Registrierung auf http://www.cree.com/RF/Tools-and-Support/Model-form notwendig.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von alicandro am 29. April 2015 um 14:10 Uhr

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