PCIM 2015: Cree präsentiert neue Produkte und Anwendungsmöglichkeiten

München, 11. Mai 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, zeigt auf der diesjährigen PCIM (Halle 9, Stand 242) seine jüngste Entwicklung bei rein Siliziumcarbid-basierten MOSFETs. Die neuen SiC MOSFETs werden dem Fachpublikum erstmals auf der internationalen Fachmesse für Leistungselektronik, die vom 19. bis 21. Mai in Nürnberg stattfindet, präsentiert. Neben Produkten informiert das Unternehmen im Rahmen der Messe bei verschiedenen Präsentationen und Fachvorträgen zudem über neue Innovationen und Anwendungsbeispiele.

Cree gibt interessierten Messebesuchern am Stand des Distributionspartners MeV Elektronik Service GmbH einen Einblick in sein umfangreiches Portfolio an SiC Dioden, MOSFETs, Modulen und Bare Die Chips. Darüber hinaus erklärt das Unternehmen, wie die SiC Technologie, im Vergleich zu herkömmlichen Technologien, kleinere, hitzeresistentere Stromversorgungen mit höheren Schaltfrequenzen ermöglicht, die effizienter und gleichzeitig kostengünstiger sind.

Ein eindrucksvolles Beispiel ist hierfür ein ultraleichter (<33kg) 50kW Solarwechselrichter mit hoher Leistungsdichte, der auf den neuesten SiC Modulen von Cree basiert. Baugröße und Gewicht konnten damit auf ein Fünftel der Werte eines vergleichbaren, Silizium-basierten Wechselrichters reduziert werden. Als weiteres Messehighlight zeigt das Unternehmen, wie sich ältere IGBT-Modul-basierte Stack durch ein Leistungsteil mit 1,2kV und 300 A SiC Modulen aufrüsten lassen, sowie eine 220W SiC-basierte LED Stromversorgung.

Vertreter von Cree werden zudem an verschiedenen Konferenzvorträgen teilnehmen. Am Dienstag, den 19. Mai, wird Marcelo Schupbach, Technical Marketing Manager bei Cree, bei der PCIM Vendor Session (Ausstellerforum Halle 7, Stand 260) ab 13.40 Uhr über “Cree Power Technology and the Impact on PV Inverter Designs” referieren. Um 15.30 Uhr präsentiert Jimmy Lui, Application Engineer Manager bei Cree, das Thema “High Density and High Power Single-Stage LED Driver with 1200V Silicon Carbide MOSFET” auf der PCIM Poster Session (Foyer Eingang Erdgeschoss NCC Mitte).

Am Mittwoch, den 20. Mai, referiert Paul Kierstead, Marketing Director Cree Power, über “SiC Impact on Chargers and Inverters”. Die Veranstaltung findet ab 10.00 Uhr im Rahmen des Yolè Event (Industry Forum, Halle 6-345) statt. Direkt im Anschluss startet um 11.00 Uhr das Bodo’s Power System Forum (Halle 6, Stand 345). Hier wird Jeffrey Casady, Business Development and Programs Manager bei Cree, über die neuen Entwicklungen bei SiC MOSFETs bis zu 10kV sprechen.

Weitere Informationen finden sich im Konferenzprogramm der PCIM unter folgendem Link: http://www.mesago.de/de/PCIM/Die_Konferenz/Englisch/index.htm

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 11. Mai 2015 um 15:39 Uhr

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