Cree präsentiert den industrieweit ersten 900 V SiC-MOSFET und setzt damit neue Maßstäbe im Bereich der diskreten Leistungs-MOSFETs

Die Leistungsfähigkeit des neuen Bausteins stellt etablierte Silizium-Lösungen in den Schatten und bietet auf der Systemebene entscheidende Performance- und Kostenvorteile für eine breite Palette von Leistungselektronik-Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen.

München, 18. Mai 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt mit der ersten Siliziumkarbid-basierten 900 V MOSFET-Plattform der Industrie seinen jüngsten Durchbruch in der Technologie für SiC-Leistungshalbleiter vor. Die neue 900 V Plattform ist für Leistungselektronik-Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen optimiert, zu denen Wechselrichter für Erneuerbare Energien, Ladesysteme für Elektrofahrzeuge und Dreiphasen-Industriestromversorgungen gehören. Auf dem Kostenniveau siliziumbasierter Lösungen schafft die neue 900 V SiC-Plattform die Voraussetzungen für eine neue Generation von Umrichtersystemen, die kleinere Abmessungen mit einem höheren Wirkungsgrad verbinden.

 

„Als Technologieführer bei SiC-LeistungshalbleiternCree_CRC509 900V MOSFET   ist es unser Ziel, die Performance-Grenzen zu überwinden, die für Designer von Leistungs-Umrichtern wirklich relevant sind“, sagt Dr. Cengiz Balkas, Vice President und General Manager, Cree Power and RF. „Gegenüber vergleichbaren Silizium-MOSFETs erschließt die bahnbrechende 900 V Plattform unseren Produkten einen neuen Markt, denn sie erweitert den Leistungsbereich, den wir in den Endsystemen adressieren können. Nach unseren 1.200 V MOSFETs, die in ihrer Performance den Hochspannungs-IGBTs überlegen sind, können wir jetzt bei 900 V die für niedrigere Spannungen konzipierten Superjunction-Silizium-MOSFETs übertrumpfen. Die neue Plattform zeichnet sich durch deutlich überlegene Eigenschaften aus und bietet Power-Designern damit das Potenzial, mit kleineren, schnelleren, weniger Wärme erzeugenden und effizienteren Power-Lösungen auf den Markt zu kommen, die fraglos jenseits dessen liegen, was mit heutiger Siliziumtechnik erreichbar ist.“

Auf der Basis seiner branchenführenden SiC-Planartechnologie baut Cree mit der neuen 900 V SiC-MOSFET-Plattform sein Produktportfolio weiter aus. So lassen sich die Design-Herausforderungen neuer, in der Entwicklung befindlicher Anwendungssegmente angehen, in denen eine höhere Spannung im Gleichspannungs-Zwischenkreis wünschenswert ist. Das Leitprodukt C3M0065090J bietet mit 65 mΩ den niedrigsten Einschaltwiderstand aller derzeit auf dem Markt angebotenen 900 V MOSFETs. Außerdem ist der neue Baustein, abgesehen von den Industriestandard-Gehäusen TO247-3 und TO220-3, auch mit einem oberflächenmontierbaren D2Pak-7L-Gehäuse mit geringer Impedanz lieferbar, das mit einer Kelvin-Verbindung dazu beiträgt, Oszillationen am Gate zu minimieren. Die Kriechstrecke dieses Gehäuses wurde zudem auf über 7 mm erhöht. Es eignet sich daher optimal für Hochspannungsanwendungen ohne zusätzlich nötige Isolation der Pins.

Existierende 900 V Silizium-MOSFETs sind wegen der extrem hohen Schaltverluste und der mangelhaften internen Body-Dioden nur sehr begrenzt für den Einsatz in Schaltungen mit hohen Schaltfrequenzen geeignet. Weiter eingeschränkt wird die Verwendung von Silizium-MOSFETs durch die Tatsache, dass sich der RDS(on) über die Temperatur um den Faktor 3 erhöht, was thermische Probleme hervorruft und ein beträchtliches Derating erfordert. Die neue 900 V MOSFET-Technologie von Cree dagegen bietet bei höheren Temperaturen einen geringen RDS(on), sodass das Entwärmungssystem deutlich kleiner dimensioniert werden kann.

Der C3M0065090J ist für 900 V und 32 A spezifiziert und besitzt bei 25 °C einen RDS(on) von 65 mΩ. Bei höheren Temperaturen (TJ = 150 °C) steigt der RDS(on) auf nur 90 mΩ an. Gehäuste Bauelemente können über DigiKey und Mouser bezogen werden.

Weitere Informationen finden Sie auf www.cree.com/power, oder klicken Sie auf die verlinkte Produktbezeichnung im obigen Text, um auf Produkt-Datenblätter, Tools und Support zuzugreifen und Ihren örtlichen Distributor zu finden.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 18. Mai 2015 um 10:35 Uhr

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