HF-Bausteine von Cree liefern Leistung auf Rekordniveau

GaN-HEMTs meistern Herausforderungen von Radarsystemen auf der Basis von Wanderfeldröhren-Verstärkern

München, 17. Juni 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat zwei branchenführende GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistors) vorgestellt. Mit ihnen lassen sich eine Reihe seit langem bestehender Probleme von Radarsystemen auf der Basis von Wanderfeldröhren-Verstärkern lösen. GaN-basierte Halbleiterverstärker mit 50 V Betriebsspannung unterliegen nicht den Ausfallmechanismen, die bei Hochspannungs-Stromversorgungen für Wanderfeldröhren (Traveling Wave Tubes – TWTs) auftreten. Sie erzielen somit eine längere Lebensdauer. Darüber hinaus sind diese halbleiterbasierten Systeme nach dem Einschalten nahezu sofort betriebsbereit, denn es gibt keine Aufwärmzeiten. Zudem ist die Reichweite größer und die Zieldiskrimination besser.

Die beiden neuen GaN-HF-Transistoren von Cree wurden speziell konzipiert, um diese Systemvorteile zu bieten. Sie sollen bei kleinen Gehäusemaßen ein Maximum an Leistung sowie höchste Wirkungsgrade erzielen. Der erste Baustein, ein GaN-HEMT mit 350 W/50 Ω und vollständiger Impedanzanpassung, ist der leistungsstärkste C-Band-Transistor auf dem Markt. Das zweite Produkt, ein GaN-HEMT mit 500 W/50 Ω, ist der leistungsstärkste S-Band-Transistor mit vollständiger Impedanzanpassung auf 50 Ω, den es in einem Single-Ended-Gehäuse dieser Größe gibt.

CRC486 C- & S-Band Radar GaN HEMTs PR

„Die neuen C- und S-Band-Produkte von Cree stellen in Hinblick auf die Leistung und den Wirkungsgrad von GaN-Bausteinen in kleinen 50-Ω-Gehäusen neue Rekorde auf. Diese Kombination aus Effizienz und Leistung ermöglicht ein wirtschaftliches Kombinieren von Transistoren für Leistungsverstärker mit mehreren Kilowatt in Radarsystemen für Rüstungs- und Wetter-Anwendungen sowie die Luftverkehrsüberwachung“, sagt Tom Dekker, Director of Sales and Marketing bei Cree RF. „Betrachtet man die HF-Ausgangsleistung bezogen auf die Fläche eines 50-Ω-Gehäuses, so übertrifft der 350 W C-Band-Baustein von Cree das nächste konkurrierende kommerzielle GaN-Produkt um einen geschätzten Faktor von 3,5. Bezogen auf das gleiche Bewertungskriterium ist der 500 W S-Band-Baustein von Cree um 45 % besser als andere kommerzielle S-Band-Produkte.“

Mit einer gesättigten Impulsleistung von über 400 W kommt der CGHV59350 hauptsächlich in bodengestützten Rüstungs- und Doppler-Wetterradarsystemen zum Einsatz. Der vollständig auf 50 Ω angepasste GaN-HEMT arbeitet über eine Bandbreite von 5,2 bis 5,9 GHz und erreicht eine typische Drain-Effizienz von 60 %. Er besitzt ein 0,7 x 0,9 Zoll großes Keramik-Metallflansch-Gehäuse.

Der CGHV31500F mit einer typischen gesättigten HF-Impulsleistung von 700 W eignet sich für Radarsysteme in der Luftverkehrsüberwachung. Der vollständig auf 50 Ω angepasste GaN-HEMT bietet eine Bandbreite von 2,7 bis 3,1 GHz und eine Leistungsverstärkung von 12 dB. Er wird ebenfalls in einem 0,7 x 0,9 Zoll großen Keramik-Metallflansch-Gehäuse angeboten.

Weitere Informationen zu den neuen GaN-HEMTS von Cree für C- und S-Band-Radarsysteme finden Sie unter http://www.cree.com/rf/CGHV31500F und in den Produkt-Datenblättern unter http://www.cree.com/rf/CGHV59350.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 17. Juni 2015 um 10:24 Uhr

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