Cree stellt für das Ku-Band einen MMIC HPA mit bahnbrechender Leistung vor

München, 18. Juni 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, präsentiert das leistungsstärkste MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits), das marktweit für das Ku-Band erhältlich ist. Der neue, als GaN-MMIC mit 30 W Leistung implementierte zweistufige High Power Amplifier (HPA) deckt das kommerzielle Satellitenkommunikations-Band von 13,5 bis 14,75 GHz ab. Die Satellitenkommunikations-Branche kann damit Ku-Band-Lösungen realisieren, die leistungsstärker und effizienter sind als die heute eingesetzten TWT- oder GaAs-Lösungen.

CRC490 Ku-Band Satcom GaN MMIC MADer 50 Ω Ku-Band MMIC HPA wird wahlweise in einem kompakten, 25 x 9,6 mm großen Flansch-Gehäuse aus Metall und Keramik (CMPA1D1E025F) oder als Bare Die (CMPA1D1E030D) angeboten. Der Baustein arbeitet mit einer VDD von 40 V und erreicht in der Satellitenkommunikation eine gemessene lineare Verstärkung von 20 dB bei einer durchschnittlichen Ausgangsleistung von 42 dBm. Er bewahrt die Linearität bei einem OQPSK-Signal von -33 dBc mit Nachbarkanal-Leistung bei einer Drain-Effizienz von 20 Prozent. Der neue 30 W GaN-MMIC HPA zeichnet sich außerdem durch eine größere Bandbreite sowie durch eine höhere Durchbruchspannung, Leistungsdichte und Wärmeleitfähigkeit aus als vergleichbare Si-, GaAs- oder GaN-on-Si-Transistoren.

Außerdem ergänzt Cree sein Portfolio um ein 50 W GaN-HEMT für Mikrowellen- und RF-Anwendungen bis zu 4 GHz (CGHV40050) sowie ein 25 W GaN-MMIC sowohl im Gehäuse als auch als Bare Die für Leistungen von 6 bis 12 GHz in Radar-, Stör- oder Testausrüstungen und Breitbandverstärkern (CMPA601C025D und CMPA601C025F).

„Der neue GaN-MMIC HPA von Cree für das Ku-Band wurde speziell entwickelt, um dem Wunsch von Kunden nach Ku-Band-Verstärkerlösungen mit mehr Leistung und einem höheren Wirkungsgrad Rechnung zu tragen. In Sachen Ku-Band Performance setzt dieser Verstärker neue Maßstäbe, denn er bietet mehr Leistung, Verstärkung und Effizienz und das zu einem erschwinglichen Preis“, sagt Tom Dekker, Director of Sales and Marketing bei Cree RF.

Mehr Details zu dem neuen, hocheffizienten 30 W GaN-MMIC HPA für Anwendungen im Ku-Band, dem 50 W GaN-HEMT und 25 W GaN-MMIC finden Sie unter den im Text enthaltenen Links. Diese verweisen auf die Produkt-Datenblätter mit detaillierten Informationen über die typische Performance, absolute Maximalwerte, elektrische Kenndaten und die Produktabmessungen sowie weiteren Messwerten. Weitere Informationen über Cree und sein Produktsortiment finden Sie außerdem auf www.cree.com.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von alicandro am 18. Juni 2015 um 10:22 Uhr

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