Wolfspeed präsentiert neuen 1700 V SiC-MOSFET

Optimierter, oberflächenmontierter SiC-MOSFET bietet 1,7 kV Sperrspannung, senkt die Kosten von Hilfsstromversorgungen signifikant und macht externe Kühlkörper überflüssig

München, 02. November 2015 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree, setzt auch weiterhin auf Innovationen bei der Entwicklung von Power-Technologie auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und präsentiert den industrieweit ersten 1700 V SiC-MOSFET, der für die Oberflächenmontage (SMD) optimiert wurde. Der C2M1000170J wurde speziell für die kommerzielle Verwendung in Hilfsstromversorgungen in Hochspannungs-Wechselrichtersystemen entwickelt.

Die hohe Sperrspannung von 1,7 kV ermöglicht es Entwicklungsingenieuren schwächere MOSFETs durch den neuen SiC-MOSFET von Wolfspeed zu ersetzen. Das erhöht die Leistungsfähigkeit, vereinfacht die Treiberschaltung, senkt die Wärmeableitung und reduziert somit die gesamten Systemkosten.

Das neue SMD-Gehäuse, welches speziell für Hochspannungs-MOSFETs entwickelt wurde, bietet einen kleinen Footprint mit einer großen Kriechstrom-Distanz von 7 mm zwischen Drain und Source. Möglich wird das durch die geringe Größe sowie das hohe Sperrvermögen der planaren SiC-MOS-Technologie von Wolfspeed. Das Gehäuse verfügt zudem über eine separate Kelvin-Verbindung, welche das Gate-Ringing reduziert und damit ein reines Gate-Signal bietet.

„Unser neuer 1700 V SiC-MOSFET bietet Leistungselektronik-Ingenieuren signifikante Designvorteile, insbesondere in der Sperrwandler-Topologie“, so Edgar Ayerbe, Marketing Manager für Power-MOSFETs bei Wolfspeed. „Aufgrund der niedrigeren Schaltverluste von Siliziumkarbid arbeiten die Bauelemente bei wesentlich niedrigeren Sperrschichttemperaturen. Kunden können die Bauteile dadurch direkt auf die Leiterplatte aufsetzen, ohne weitere Kühlkörper montieren zu müssen. Dadurch werden die Produktionskosten deutlich reduziert und die Systemsicherheit erhöht. Das Ergebnis ist eine im Vergleich zu Silizium-Lösungen kleinere und leichtere Energieversorgung mit niedrigeren Systemkosten.“

Die 1700 V SiC-MOSFETs sind insbesondere für den Einsatz in Hilfsstromversorgungen gedacht, wie sie in Wechselrichtern für Solar- und Windanlagen, Motorantrieben, USV-Anlagen und Bahnstromsystemen verwendet werden. Diese reduzieren üblicherweise die Gleichspannung, um Systemlogistik, Schutzbeschaltung, Displays, Netzwerkinterface und Kühllüfter zu betreiben. Sie können zudem in elektronischen Dreiphasenzählern sowie in allen Wechselrichter-Applikationen eingesetzt werden, die hohe Blockierspannungen und niedrige Kapazität benötigen.

Der neue 1700 V SiC-MOSFET verfügt über ein Avalanche-Rating von über 1800 V und einem RDS(on) von 1 Ω. Dadurch wird in Sperrwandler-Schaltungen eine verlässliche Leistung auch in Umgebungen voller elektrischer Störungen gesichert, wie sie in Hochleistungs-Wechselrichtern vorkommen. Durch die Sperrwandler-Topologie mit Einzelschalter bei einer Eingangsspannung von 200 V bis 1000 V vereinfacht der 1700 V SiC-MOSFET die komplexen Elemente für Ansteuerung und Entstörschaltung, die für Bausteine auf Silizium-Basis benötigt werden.

Der C2M1000170J ist vollständig qualifiziert und ab sofort als Serienprodukt erhältlich. Mehr Informationen finden sich auf wolfspeed.com/power/products

WS114 1700V SMD MOSFET MA

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 2. November 2015 um 12:00 Uhr

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