Wolfspeed stellt neue 50V/60W GaN-HEMTs vor

WS107 50V Plastic GaN HEMTs for LTE MA

München, 5. November 2015 — Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree, stellt zwei neue 50V/60W GaN-HEMT in Kunststoffgehäuse vor, welche die Vorteile von Galliumnitrid bei Leistung und Bandbreite mit einer günstigen Gehäuse-Plattform verbindet. Erhältlich im Miniaturformat (4,5mm x 6,5mm) mit ökonomischem Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage (SMT), eignen sich die Bauteile ideal für Kommunikationsanwendung wie etwa LTE, Base Transceiver Stations (BTS), Radar sowie Radiosysteme für die öffentliche Systeme und andere.

Beim CGHV27060MP handelt es sich um einen GaN-HEMT mit sowohl linearen als auch Impulsanwendungsschaltkreisen und ohne interne Eingangs- oder Ausgangsanpassung. Dadurch unterstützt er ein breites Spektrum an Frequenzen von UHF bis 2,7GHz. Die HEMT sind für 2,5GHz getestet und bieten sich für den Einsatz in kleinen LTE-Basisstationsverstärkern mit einer durchschnittlichen Leistung von 10 bis 15W und hocheffizienten Topologien an. Dazu gehören etwa Doherty- sowie Klasse A, B und F Verstärker. Angewendet in einer S-Band-Radar-Schaltung bietet das 50V-Bauteil 16,5dB Gain, 70 Prozent Drain-Effizienz sowie 80W Ausgangsleistung bei PSAT 100 μs Pulsweite und eine Einschaltdauer von 10 Prozent. Bei 14W PAVE liefert das Bauteil 18,5dB Gain und 35 Prozent Effizienz. Der Miniatur-Transistor kann zudem eine CW-Ausgangsleistung von 65W erreichen, wenn er in einem hocheffizienten Verstärker-Design verwendet wird.

Bei einer vorab abgestimmten internen Eingangsanpassung und nicht abgestimmter Ausgangsanpassung eignet sich der CGHV35060MP als 50V/60W Breitband GaN-HEMT für die Verwendung im Frequenzbereich von 2,7 bis 3,5 GHz. Die HEMT sind für 3,3GHz getestet, bieten 14,5dB Gain sowie 67 Prozent Drain-Effizienz und eignen sich für S-Band-Anwendungen etwa in den Bereichen Wetter, Luftverkehrskontrolle, Meeres- und Hafenüberwachung sowie Such- und Rettungsanwendungen per Radar.

Außerdem sind beide Bauteile kompatibel mit dem US-amerikanischen Industriestandard für Digital Pre-Distortion Correction (DPD), um Verstärker noch effizienter zu machen. Dank der Baugröße sind sie zudem eine günstige Lösung bei Anwendungen in größeren Produktionsmengen.

Hergestellt auf einem SiC-Substrat mit einem 0,4 μm-Verfahren, bieten die GaN-on-SiC-HEMT von Wolfspeed sehr gute Leistung im Vergleich zu Silizium und Gallium-Arsenid, inklusive höherer Durchschlagsspannung, saturierte Elektronen-Driftgeschwindigkeit und Wärmeleitfähigkeit. Sie bieten außerdem eine höhere Leistungsdichte und größere Bandbreiten als Si-, GaAs- und GaN-on-Si-Transistoren. Mouser und Digi-Key nehmen bereits Bestellungen entgegen, Lieferzeit ist voraussichtlich im Dezember 2015.

 

Kategorien: Power, Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 5. November 2015 um 11:02 Uhr

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