Wolfspeed macht Batterieladegeräte von Gruppo PBM ab sofort noch effizienter

Schneller Aufladen bei geringerem Energieverbrauch: SiC MOSFETs von Wolfspeed bieten innovative Energieversorgungslösung für industrielle Batterieladegeräte

München, 01. März 2016 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und einer der führenden Hersteller von siliziumkarbid-basierten GaN HEMTs und MMICs, hat angekündigt, dass die Gruppo PBM, ein führender Anbieter für industrielle Batterieladegeräte, ab sofort SiC MOSFETs von Wolfspeed verwendet. Diese ermöglichen es dem Unternehmen, die HF9 Batterieladegeräte-Familie um 40 Prozent kleiner herzustellen sowie die Systemkosten um 20 Prozent zu reduzieren.

Durch die zunehmende Ausbreitung von Leistungselektronik hat sich die Nachfrage nach sicheren, effizienten und schnell-aufladenden industriellen Batterien exponentiell erhöht. Die HF9 Familie wurde speziell auf die höchstmögliche Leistungsfähigkeit konzipiert, bei einfacher Skalierbarkeit für den Leistungsbereich von 6 bis 16 Kilowatt. Diese Vorteile werden unter anderem durch die Wolfspeed 1200 V SiC MOSFET-Technologie ermöglicht.

„Bei unseren neuen HF9 Batterieladegeräten haben wir uns für die Wolfspeed SiC Planar MOSFETs entschieden, da sie nicht nur unser Produkt verbessern, sondern uns gleichzeitig betriebliche Einsparungen, verbesserte Produktivität und höhere Sicherheit ermöglichen. Das wäre selbst mit den besten IGBTs auf dem Markt nicht möglich gewesen“, so Marco Mazzanti und Giancarlo Ceo, CTO und R&D Engineer bei der Gruppo PBM.

Die in Italien ansässige Gruppo PBM hat sich auf robuste Hochfrequenz-Batterieladegeräte, -Entlader und -Tester spezialisiert. Durch die Nutzung der Wolfspeed SiC MOSFETs in der neuesten HF9 Familie erzielt das Unternehmen nicht nur eine verbesserte Effizienz, sondern auch eine Reduzierung der Komponentenzahl. Darüber hinaus verbessern sich die Gesamtsystemkosten sowie dank niedrigerer Betriebstemperatur die Gesamtzuverlässigkeit des Systems.

„Die SiC MOSFETs von Wolfspeed und insbesondere unsere neue C3M 900 V Familie erfreuen sich immer größerer Beliebtheit im wachsenden Markt für Batterieladegeräte“, erklärt Edgar Ayerbe, Power MOSFET Marketing Manager bei Wolfspeed. „Unsere Produkte erhöhen die Leistungsdichte und reduzieren Schaltverluste drastisch. Dadurch ermöglichen sie es, kleinere, kühlere und kostengünstigere Ladegeräte für den Einsatz im Automotive-Bereich und in der Industrie herzustellen.“

Die SiC MOSFETs von Wolfspeed sind kommerziell als Versionen in 900 V, 1200 V und 1700 V sowie als TO-247 und SMD Gehäuseoptionen verfügbar. Das kürzlich veröffentlichte SMT-Gehäuse, welches speziell für Hochspannungs-MOSFETs entwickelt wurde, verfügt über einen kleinen Footprint mit einer Kriechstrecke von 7 Millimetern zwischen Drain und Source. Das Gehäuse hat zudem über eine separate Treiber-Source-Verbindung, welche das Gate-Ringing reduziert und damit ein reines Gate-Signal bietet.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 1. März 2016 um 11:42 Uhr

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