Wolfspeed erreicht neuen Standard für Leistungselektronik mit Hochleistungs-Kombination aus Halbbrücken-Power-Modulen und Gate-Treiber aus Siliziumkarbid

Modul von Wolfspeed erreicht neue Bestwerte bei Stromdichte, Effizienz und Leistung.

WS136 CAS325M12HM2 Power Module PR

München, 12. Mai 2016 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree, hat das erste vollständig qualifizierte, kommerzielle Power-Modul vorgestellt, das am Unternehmensstandort Fayetteville, Arkansas (USA), entwickelt und produziert wurde. Das hochleistungsfähige 62 mm Modul steht für eine neue Generation von kompletten Siliziumkarbid (SiC)-Modulen, die neue Bestwerte in Hinblick auf Leistung und Stromdichte ermöglichen. Sie sind ideal für den Einsatz in Leistungselektronikanwendungen mit hohen Stromstärken wie in Wandlern und Wechselrichtern, Motorantrieben, in der Industrieelektronik sowie bei hochleistungsstarker Fahrzeugelektronik. Das neue Modul ermöglicht es Entwicklern, leichtere Systeme zu entwerfen, die bis zu 67 Prozent kleiner und über 98 Prozent effizienter sind sowie eine 10-mal so hohe Stromdichte aufweisen als Systeme, die rein auf Silizium basieren.

Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-IGBT-Powermodulen oder sogar vorherigen SiC-MOSFET-Modulen bietet das neue Modul eine deutlich höhere Stromdichte für Anwendungen, in denen kleine Baugrößen und geringes Gewicht eine wichtige Rolle spielen. Da das System bei einer höheren Taktfrequenz arbeitet ohne Kompromisse bei der Effizienz einzugehen, lässt sich die Anzahl und Größe der magnetischen und passiven Bauteile, die für den Kräfteausgleich des Systems nötig sind, reduzieren. Dank der starken thermischen Eigenschaften von SiC-Bauteilen in Verbindung mit dem Verpackungsdesign und -materialien ist es möglich, dass das Modul selbst bei Temperaturen von 175 °C zuverlässig arbeitet. Das ist erfolgsentscheidend bei Anwendungen in den Bereichen Industrie, Luftfahrt und Automotive.

„Die Einführung dieser vollständig zertifizierten SiC-Power-Module der nächsten Generation sind der Höhepunkt eines technischen Entwicklungsprogramms, das mit den ersten SiC-MOSFET-Modulen des Unternehmens angefangen hat“, erklärt John Palmour, Chief Technology Officer, Wolfspeed. „Die Übernahme von Arkansas Power Electronics International (APEI) im vergangenen Jahr hat es unserem Team möglich gemacht, diese fortschrittlichen Powermodule innerhalb kürzester Zeit zu entwickeln. Dabei wurde die führende SiC-Technologie mit der branchenweit modernsten und innovativen Verpackung kombiniert. Das daraus entstandene Modul ist das erste von vielen Produkten, welche die Entwicklung des Leistungselektronikmarktes deutlich beschleunigen wird.“

Das neue Modul von Wolfspeed ist optimiert, um die einzigartigen Vorteile der SiC-Technologie herauszustellen. Es weist eine um 66 Prozent reduzierte Induktivität von 5,5 nH auf. Herkömmliche Module liegen bei 15 nH. Das ermöglicht schnellere Schaltgeschwindigkeiten sowie ein Arbeiten auf höheren Frequenzen und geringe Verluste.

Das leistungsstarke Power-Modul CAS325M12HM2 ist als Halbbrücken-Topologie erhältlich, die sieben 1,2 kV 25mΩ C2M SiC-MOSFETs und sechs 1,2 kV 50 A Z-Rec Schottky-Dioden umfasst. Der dazugehörige Gate-Treiber CGD15HB62LP ist speziell angefertigt, um in das 62 mm kleine Modul zu passen. Ein technisches Evaluierungs-Kit, das sowohl das Modul als auch den Gate-Treiber beinhaltet, ist ebenfalls erhältlich. Damit können Entwickler schnell und einfach die Performance der neuen Bauteile in ihren eigenen Systemen testen.

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Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 12. Mai 2016 um 13:39 Uhr

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