Wolfspeed präsentiert industrieweit ersten 1.000 V SiC MOSFET

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Neuer SiC MOSFET bedient steigende Nachfrage nach effizienten und schnell ladenden Batterien für Elektrofahrzeuge

München, 11. Oktober 2016 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und einer der führenden Hersteller von Siliziumkarbid-basierten MOSFETs, stellt einen 1.000 V SiC MOSFET vor, der die Gesamt-Systemkosten reduziert, indem die Systemeffizienz erhöht und die Systemgröße gleichzeitig verringert wird. Der neue MOSFET ist speziell für den Einsatz in schnellen Batterieladern sowie industriellen Stromversorgungslösungen optimiert und ermöglicht es, die Komponentenzahl um 30 Prozent zu reduzieren, während sich die Leistungsdichte verdreifachen und die Ausgangsleistung um 33 Prozent steigern lässt.

„Unsere Technologien ermöglichen kleinere und effizientere Ladesysteme mit höherer Stromladung – und das bei niedrigeren Gesamtkosten. Das unterstützt die Verbreitung von externen Ladestationen. Dieser Markt benötigt Lösungen mit hoher Effizienz sowie einem breiten Ausgangsspannungsbereich, um den Anforderungen der Batteriespannungen von Elektrofahrzeugen unterschiedlicher Automobilhersteller gerecht zu werden“, so John Palmour, CTO bei Wolfspeed und führt weiter aus: „Unser neuer 1.000 V SiC MOSFET ermöglicht Systemdesignern extrem schnelle Umschaltgeschwindigkeiten mit nur einem Bruchteil der bei Silizium-basierten MOSFETS üblichen Schaltverluste.

Designer können die Komponentenzahl reduzieren, indem sie mit Hilfe des 1.000 Vds Ratings des Wolfspeed SiC MOSFETs von Silizium-basierten Drei-Level-Topologien auf einfachere Zwei-Level-Topologien wechseln. Die Erhöhung der Ausgangsleistung bei geringerem Footprint wird durch die sehr niedrige Ausgangskapazität (60 pF) ermöglicht, was Schaltverluste signifikant reduziert. Der 1.000 V SiC MOSFET ermöglicht zudem den Betrieb bei höheren Schaltfrequenzen. Das verringert die Größe der Induktivität und reduziert Gesamtverluste. Dadurch müssen wiederum weniger Kühlkörper verbaut werden.

Design Unterstützung

Wolfspeed bietet einen 20 KW Vollbrücken-LLC Resonanzwandler als Referenzdesign unter der Artikelnummer CRD-20DD09P-2 an. Dieses voll montierte Hardware-Set ermöglicht es Designern, den neuen 1.000 V SiC MOSFET schnell zu bewerten und verdeutlicht die schnellere Schaltfähigkeit ebenso wie die erhöhte Leistungsdichte.

Die Daten des LLC Wandler-Referenzdesigns beinhalten neben den vollständigen Schaltplänen auch eine Aufzählung der verwendeten Materialien, Simulations-Dateien sowie ein detailliertes Benutzerhandbuch. Die Unterlagen lassen sich unter go.wolfspeed.com/referencedesigns herunterladen. Die gesamte Hardware kann auf Anfrage bei Wolfspeed erworben werden.

Geräteinformation

Der neue 1.000 V 65 mOhm MOSFET ist in einem 4L-TO 247 Gehäuse erhältlich und wird unter der Artikelnummer C3M0065100K bei Digikey, Mouser und Richardson RFPD geführt. Wolfspeed plant die Veröffentlichung eines weiteren 1.000 V MOSFETs mit 4L-TO 247 Gehäuse bei 120 mOhm (C3M0120100K) in den kommenden Wochen. Dieses Gehäuse verfügt über einen Kelvin-Source-Anschluss, der es Ingenieuren ermöglicht, Designs zu entwickeln, welche die Vorteile von SiC in Hinblick auf Geschwindigkeit und Effizienz maximieren.

Oberflächenmontierte Versionen dieser Geräte (C3M0065100J und C3M0120100J) werden bis Jahresende veröffentlicht. Wie das 4L-TO 247, werden die oberflächenmontierten Geräte über einen Kelvin-Source-Pin verfügen, um Gate-Ringing und Systemverluste zu reduzieren.

Mit der Einführung seines 1.000 V SiC MOSFETs verfügt Wolfspeed über das industrieweit breiteste Geräteportfolio. Das Unternehmen war 2011 das erste, welches einen kommerziell geeigneten SiC MOSFET auf den Markt gebracht hat. Vollständige technische Informationen zum neuen 1.000 V MOSFET von Wolfspeed sind im zugehörigen Datenblatt erhältlich. Mehr Informationen zu den Produkten von Wolfspeed gibt es auf http://www.wolfspeed.com/power/products.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 11. Oktober 2016 um 11:27 Uhr

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