Wolfspeed präsentiert neues SiC MOSFET für Elektroauto-Antriebsstrang

München, 11. Januar 2017 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und führend im Bereich Silicon Carbide (SiC) Power Products, stellt einen neuen 900 V, 10 mΩ MOSFET vor, das für eine Dauerbelastung von 196 A bei einer Gehäusetemperatur von 25 °C ausgelegt ist. Der MOSFET ermöglicht eine entscheidende Verringerung der Umrichterverluste beim Antriebsstrang von Elektroautos um ganze 78 Prozent auf Basis des kombinierten EPA Stadt/Autobahn-Laufleistungsstandards. Automobilbauern bietet die neue Komponente attraktive Möglichkeiten im Hinblick auf Batterienutzung und Fahrzeugdesign.

Einer der prominentesten Anwender eines Full-SiC 400 A Power Moduls auf Basis des 900 V, 10 mΩ Chips ist die Ford Motor Company in Kooperation mit der US-amerikanischen Energiebehörde. Sie setzt das Modul von Wolfspeed in einer Version mit vier parallel geschalteten MOSFETs ein und erreicht damit einen Rds(on) von 2,5 mΩ. Nicht zuletzt mit diesem Einsatz hat Wolfspeed das enorme Potenzial des Chips gezeigt und eine weitere Modul Variante mit 800 A, 1,25 mΩ entwickelt..

„Die offizielle Markteinführung der 900 V, 10-mΩ-Lösung bietet elektrisch angetriebenen Fahrzeugen die Gelegenheit, fortan von der Überlegenheit SiC-basierter Komponenten in allen Bereichen der Leistungsumwandlung zu profitieren“, erklärt John Palmour, CTO von Wolfspeed. „Die konsequente Erweiterung unseres Gen3 MOSFET-Portfolios mit neuen Package-Optionen erschließt zahlreiche weitere Anwendungsmöglichkeiten – insbesondere hinsichtlich einer effizienteren Energienutzung bei Onboard- und Offboard-Ladegeräten und ab sofort auch beim Antriebsstrang von Elektrofahrzeugen.“

Der neue Chip wurde ausführlich für den kommerziellen Einsatz bei 175 °C getestet und bietet eine hohe Zuverlässigkeit auch in anspruchsvollen Umgebungen wie etwa im E-Automobilbau.

Produktdetails

Der neue 900 V, 10 mΩ MOSFET ist als Chip mit der Teilenummer CPM3-0900-0010A verfügbar und wird zurzeit bei SemiDice angeboten. Wolfspeed wird das zugehörige diskrete Bauteil in einem 4L-TO247 Package (C3M0010090K) in den kommen Wochen in den Verkauf bringen. Dieses Package hat eine Kelvin Source-Verbindung, mit der Ingenieure optimale Designs entwerfen und damit maximal von der Leistung und Effizienz von SiC profitieren können.

Umfassende technische Informationen zum neuen 900 V, 10 mΩ MOSFET finden sich hier.

 

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 11. Januar 2017 um 10:32 Uhr

Tags: , , , , , , ,

Weitere PMs