Wolfspeed erweitert führende MOSFET Plattform um 1.200 V Variante

Wolfspeed 1200V 75mOhm MOSFETMünchen, 28. Februar 2017 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und führend im Bereich Silicon Carbide (SiC) Power Products, erweitert seine innovative C3M Plattform um einen neuen 1.200 V und 75 mOhm MOSFET im diskreten Gehäuse, das sich durch eine niedrige Induktivität auszeichnet. Die neue Lösung vereinfacht Designs und ermöglicht eine Frequenzerhöhung bei gleichbleibender Effizienz und niedrigeren Systemkosten. Zudem werden elektromagnetische Störungen im Schaltkreis reduziert und Effizienzlevel von 99 Prozent bei dreiphasigen Blindleistungskompensations-Schaltungen ermöglicht.

 

Diese Funktionen ermöglichen es Anwendungsdesignern – beispielsweise von Telekommunikationsnetzteilen, Aufzügen, netzgebundenen Speichern, On- und Offboard EV-Ladestationen und Fabrikautomation –, die Schaltfrequenz bei gleichbleibender Effizienz zu erhöhen und gleichzeitig Systemgröße und Materialkosten zu reduzieren.

 

„Wir freuen uns über die neu vorgestellten  SiC-Produkte im neuen und innovativen diskreten Gehäuse“, so Siemens Hardware-Architekt Kurt Goepfrich. „Diese neuen Packaging-Optionen, wie das oberflächenmontierte 7L D2PAK, erlauben es uns, neue Topologien zu erforschen, die mit den bestehenden Produkten auf dem Markt noch nicht möglich sind.“ Dieser Baustein erreicht die industrieweit niedrigste Gütezahl unter den SiC MOSFETs bei 1.200 V. Wolfspeed bringt ihn in einem 4L TO-247 Gehäuse auf den Markt und plant in den kommenden Wochen die Veröffentlichung eines 7L D2PAK Gehäuses.

 

„SiC MOSFETs haben sich als Vorteil in vielen Hochleistungsanwendungen mit Batterieanschluss bewährt. Grund hierfür ist die verbessere Effizienz“, erklärt John Palmour, CTO von Wolfspeed. „Bei direktionaler Leistung, wie beispielsweise bei netzgebundener AC/DC-Kopplung wird das Einsparpotenzial aufgrund der geringeren Größe des Eingangsfilters signifikant erhöht.“

 

Der Baustein verfügt über Wolfspeeds planare C3M MOSFET Technologie der dritten Generation, welche bereits in unterschiedlichen Automobil- und Industrie-Anwendungen Verwendung gefunden hat. Er verfügt über einen niedrigen On-Widerstand (75 mΩ), kombiniert mit einer geringen Gate-Ladung. Dadurch eignet er sich ideal für dreiphasige, brückenlose PFC-Topologien sowie AC/AC-Konverter und Ladegeräte.
Die neuen Gehäuse erlauben es Ingenieuren, alle Vorteile der Hochfrequenz-Leistungsfähigkeit der neuen SiC MOSFET Chips von Wolfspeed zu nutzen. Das 4L TO-247 Gehäuse reduziert Schaltverluste im Vergleich zu konventionellen TO-247-3 Packages um das Dreifache. Das oberflächenmontierte 7L D2PAK Gehäuse, das speziell für  Hochspannungs-MOSFETs entwickelt wurde, eliminiert praktisch die Source-Induktivität, die in anderen Packages gefunden wird, und hat einen um 52 Prozent kleineren Footprint als D3PAKs. Möglich wird das durch die geringe Die-Größe und das hohe Sperrvermögen der planaren C3M-MOSFET-Technologie.

Entwickler können die Anzahl der Komponenten reduzieren, indem sie von Silizium-basierten, drei-Level Topologien zu einfacheren zwei-Level Topologien wechseln. Dies wird durch das verbesserte Schaltverhalten ermöglicht. Die MOSFETs mit höherer Spannung lösen viele Einschränkungen von Silizium-basierten Superjunction-MOSFETs, wodurch sie bisher nicht für den Einsatz in zwei-Level Topologien geeignet waren. SiC hat eine signifikant geringere nichtlineare Ausgangskapazität, wodurch Verlustzeiten reduziert und somit Klirrfaktoren in höheren Schaltfrequenzen minimiert werden können.
Der neue 1.200 V, 75 mOhm MOSFET ist in einem 4L TO247 Gehäuse mit Durchgangsloch verfügbar und wird unter der Artikelnummer C3M0075120K gelistet. Bestellungen können ab sofort über verschiedene Distributoren getätigt werden. Die oberflächenmontierte Version C3M0075120J wird in den kommenden Wochen verfügbar sein. Wie das 4L TO247 beinhaltet das oberflächenmontierte Bauteil einen Kelvin Source-Pin, um Gate Ringing und Systemverluste zu reduzieren.

 

Vollständige technische Informationen über den neuen 1.200 V MOSFET von Wolfspeed finden sich im zugehörigen Datenblatt. Mehr Informationen zu den Produkten von Wolfspeed finden sich unter http://www.wolfspeed.com/power/products.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 28. Februar 2017 um 13:04 Uhr

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