PCIM 2015

Mit den neuen 900V SiC MOSFETs präsentiert Cree auf der diesjährigen PCIM, der internationalen Fachmesse für Leistungselektronik, dem Fachpublikum erstmals die dritte Generation seiner rein Siliziumcarbid-basierten MOSFETs. Vom 19. bis 21. Mai bietet Cree am Stand von Distributionspartner MeV (Halle 9, Stand 242) interessierten Messebesuchern einen Einblick in sein umfangreiches Portfolio an SiC Dioden, MOSFETs, Modulen und Bare Die Chips. Darüber hinaus wird erklärt, wie die SiC Technologie – im Vergleich zu herkömmlichen Technologien – kleinere, hitzeresistentere Stromversorgungen mit höheren Schaltfrequenzen ermöglicht, die effizienter und gleichzeitig kostengünstiger sind.

Kategorien: Pressemappen

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 18. Mai 2015, 17:22

PCIM 2014

Cree präsentiert auf der PCIM 2014, der internationalen Fachmesse für Leistungselektronik, in Halle 9, Stand 260 neuste Power-Bausteine auf Basis seiner innovativen Siliziumkarbid (SiC)-Technologie.

Die digitalen Pressemappen finden Sie in Deutsch und Englisch hier.

Kategorien: Pressemappen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 23. Mai 2014, 13:58

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Light + Building 2014

Cree präsentiert auf der Light + Building 2014, der weltweit bedeutendsten Messe für Architektur und Licht, seine LED-Neuheiten in Halle 5, Stand C34.

Die digitalen Pressemappen finden Sie in Deutsch, Englisch und Italienisch hier.

Kategorien: Pressemappen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 10. April 2014, 15:32

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