Wolfspeed erweitert führende MOSFET Plattform um 1.200 V Variante

München, 28. Februar 2017 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und führend im Bereich Silicon Carbide (SiC) Power Products, erweitert seine innovative C3M Plattform um einen neuen 1.200 V und 75 mOhm MOSFET im diskreten Gehäuse, das sich durch eine niedrige Induktivität auszeichnet. Die neue Lösung vereinfacht Designs und ermöglicht eine Frequenzerhöhung bei gleichbleibender Effizienz und niedrigeren Systemkosten. Zudem werden elektromagnetische Störungen im Schaltkreis reduziert und Effizienzlevel von 99 Prozent bei dreiphasigen Blindleistungskompensations-Schaltungen ermöglicht. […]

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Veröffentlicht von Cree Presseteam am 28. Februar 2017, 13:04

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Wolfspeed erweitert sein Portfolio an SiC-Schottky-Dioden

München, 9. Februar 2017 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und führend im Bereich Silicon Carbide (SiC) Power Products, erweitert sein Portfolio an SiC-Schottky-Dioden um vier neue Gleichrichter und bietet damit die umfassendste Produktpalette in diesem Segment.  Die neuen 650 V und 1.200 V Z-Rec-SiC-Schottky-Dioden ermöglichen das Design effizienter Systeme zur Leistungsumwandlung, die noch zuverlässiger, […]

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Veröffentlicht von Cree Presseteam am 9. Februar 2017, 11:05

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Wolfspeed erweitert C-Band-Portfolio für Radarsysteme um neuen GaN-HEMT

München, 25. Januar 2017 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und einer der führenden Hersteller von Siliziumkarbid-basierten GaN-HEMTs und MMICs, hat mit dem neuen CGHV59070 GaN-HEMT für C-Band-Radarsysteme sein Portfolio an hocheffizienten C-Band-Radarbauteilen mit hoher Verstärkung und großer Bandbreiten erweitert. Der neue 70 W GaN-HEMT arbeitet bei 4,5 bis 5,9 GHz auf einer 50 V […]

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Veröffentlicht von Cree Presseteam am 25. Januar 2017, 11:04

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Wolfspeed präsentiert neues Hochleistungs-L-Band Radar GaN-HEMT

München, 23. Januar 2017 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und einer der führenden Hersteller von Siliziumkarbid-basierten GaN-HEMTs und MMICs, hat den bis dato leistungsstärksten 50 V GaN-HEMT auf den Markt gebracht. Mit einem Hochleistungsimpuls von mindestens 800 W bei einem Betrieb von 1,2 – 1,4 GHz und 50 V mit mehr als 65 Prozent […]

Kategorien: Power, Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 23. Januar 2017, 11:21

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Wolfspeed präsentiert neues SiC MOSFET für Elektroauto-Antriebsstrang

München, 11. Januar 2017 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und führend im Bereich Silicon Carbide (SiC) Power Products, stellt einen neuen 900V, 10mΩ MOSFET vor, das für eine Dauerbelastung von 196 A bei einer Gehäusetemperatur von 25 °C ausgelegt ist. Der MOSFET ermöglicht eine entscheidende Verringerung der Umrichterverluste beim Antriebsstrang von Elektroautos um ganze 78 Prozent auf Basis des kombinierten EPA Stadt/Autobahn-Laufleistungsstandards. Automobilbauern bietet die neue Komponente attraktive Möglichkeiten im Hinblick auf Batterienutzung und Fahrzeugdesign. (weiterlesen…)

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Veröffentlicht von Cree Presseteam am 11. Januar 2017, 10:32

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Wolfspeed präsentiert industrieweit ersten 1.000 V SiC MOSFET

Neuer SiC MOSFET bedient steigende Nachfrage nach effizienten und schnell ladenden Batterien für Elektrofahrzeuge München, 11. Oktober 2016 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und einer der führenden Hersteller von Siliziumkarbid-basierten MOSFETs, stellt einen 1.000 V SiC MOSFET vor, der die Gesamt-Systemkosten reduziert, indem die Systemeffizienz erhöht und die Systemgröße gleichzeitig verringert wird. Der neue […]

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Veröffentlicht von Cree Presseteam am 11. Oktober 2016, 11:27

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Wolfspeed erreicht neuen Standard für Leistungselektronik mit Hochleistungs-Kombination aus Halbbrücken-Power-Modulen und Gate-Treiber aus Siliziumkarbid

München, 12. Mai 2016 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree, hat das erste vollständig qualifizierte, kommerzielle Power-Modul vorgestellt, das am Unternehmensstandort Fayetteville, Arkansas (USA), entwickelt und produziert wurde. Das hochleistungsfähige 62 mm Modul steht für eine neue Generation von kompletten Siliziumkarbid (SiC)-Modulen, die neue Bestwerte in Hinblick auf Leistung und Stromdichte ermöglichen. Sie sind ideal für den Einsatz Leistungselektronikanwendungen mit hohen Stromstärken wie in Wandlern und Wechselrichtern, Motorantrieben, in der Industrieelektronik sowie bei hochleistungsstarker Fahrzeugelektronik. Das neue Modul ermöglicht es Entwicklern, leichtere Systeme zu entwerfen, die bis zu 67 Prozent kleiner und über 98 Prozent effizienter sind sowie eine 10-mal so hohe Stromdichte aufweisen als Systeme, die rein auf Silizium basieren. Weiterlesen…

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Veröffentlicht von Cree Presseteam am 12. Mai 2016, 13:39

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Wolfspeed präsentiert SpeedFit Online-Schaltungssimulations-Tool für schnellere Auswertung und Anwendung von SiC-Bauteilen

München, 11. Mai 2016 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree, hat ein kostenlose Online-Simulationstool angekündigt, das Leiterplattendesigner dabei unterstützt, die Leistung von SiC-basierten Schaltkreisen zu simulieren und zu evaluieren, um so die Auswahl für die optimalen SiC-Bauteile für jede Anwendung zu erleichtern. Weiterlesen…

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Veröffentlicht von Cree Presseteam am 11. Mai 2016, 10:04

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Wolfspeed erreicht neuen Meilenstein: GaN-RF-Bausteine mit insgesamt 1,3 GW Ausgangsleistung ausgeliefert

München, 21. März 2016 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und einer der führenden Hersteller von siliziumkarbid-basierten GaN-HEMTs und MMICs, hat Ende 2015 einen neuen Meilenstein erreicht: Das Unternehmen hat GaN-on-SiC-Leistungstransistoren mit einer Gesamtleistung von 1,3 Gigawatt (GW) ausgeliefert. Dabei konnte die Ausfallrate von 5 pro einer Milliarde Betriebsstunden beibehalten werden, was die hohe Zuverlässigkeit und Leistung der GaN-on-SiC-Bausteine unterstreicht.

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Veröffentlicht von Cree Presseteam am 21. März 2016, 11:26

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Wolfspeed macht Batterieladegeräte von Gruppo PBM ab sofort noch effizienter

München, 01. März 2016 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und einer der führenden Hersteller von siliziumkarbid-basierten GaN HEMTs und MMICs, hat angekündigt, dass die Gruppo PBM, ein führender Anbieter für industrielle Batterieladegeräte, ab sofort SiC MOSFETs von Wolfspeed verwendet. Diese ermöglichen es dem Unternehmen, die HF9 Batterieladegeräte-Familie um 40 Prozent kleiner herzustellen sowie die Systemkosten um 20 Prozent zu reduzieren.

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Veröffentlicht von Cree Presseteam am 1. März 2016, 11:42

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