Zuverlässigkeit der Wolfspeed GaN HPA Technologie von Lockheed Martin ausgezeichnet

München, 9. November 2015 – Wolfspeed, eine Unternehmen von Cree und einer der führenden Hersteller von siliziumkarbid-basierten GaN-HEMTs und MMICs, hat zusammen mit dem US-amerikanischen Technologiekonzern Lockheed Martin das US Air Force System Space Fence mit seinen GaN High Power Amplifiers (HPAs) ausgestattet. Dadurch lassen sich Gegenstände im All, die GPS-Satelliten oder Internationale Raumstationen gefährden können, schneller erkennen.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 9. November 2015, 10:53

Tags: , ,

Wolfspeed stellt neue 50V/60W GaN-HEMTs vor

München, 5. November 2015 — Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree, stellt zwei neue 50V/60W GaN-HEMT in Kunststoffgehäuse vor, welche die Vorteile von Galliumnitrid bei Leistung und Bandbreite mit einer günstigen Gehäuse-Plattform verbindet. Erhältlich im Miniaturformat (4,5mm x 6,5mm) mit ökonomischem Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage (SMT), eignen sich die Bauteile ideal für Kommunikationsanwendung wie etwa LTE, Base Transceiver Stations (BTS), Radar sowie Radiosysteme für die öffentliche Systeme und andere.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 5. November 2015, 11:02

Tags: , , ,

Wolfspeed präsentiert neuen 1700 V SiC-MOSFET

München, 02. November 2015 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree, setzt auch weiterhin auf Innovationen bei der Entwicklung von Power-Technologie auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und präsentiert den industrieweit ersten 1700 V SiC-MOSFET, der für die Oberflächenmontage (SMD) optimiert wurde. Der C2M1000170J wurde speziell für die kommerzielle Verwendung in Hilfsstromversorgungen in Hochspannungs-Wechselrichtersystemen entwickelt.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 2. November 2015, 12:00

Tags: , ,

U.S. Air Force setzt weiterhin auf Power Module von Cree

Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, und die U.S. Air Force haben einen Folgeauftrag über 4,1 Millionen US-Dollar abgeschlossen. Die Finanzierung liefert die Voraussetzungen zum Bau eines leistungsstarken Power-Elektronik-Moduls, welches für den F-35 Joint Strike Fighter entwickelt wird, der das primäre Kampfflugzeug der US-Streitkräfte sowie der NATO werden soll. Die Umsetzung erfolgt über die erst kürzlich vorgestellte Firma „Wolfspeed“, unter der die Leistungselektronik- und HF-Sparte von Cree demnächst firmiert sein wird.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 24. September 2015, 14:38

Tags: , , , , ,

Neuer Name für Leistungselektronik- und HF-Sparte – Cree präsentiert Wolfspeed

München, 8. September 2015 — Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat Wolfspeed als neuen Namen seiner Leistungselektronik- und HF-Sparte vorgestellt. Das Unternehmen hatte im Mai bekannt gegeben, diesen Geschäftsbereich in eine eigenständige Firma auszugliedern.

Kategorien: Corporate, Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 8. September 2015, 11:02

Tags: , ,

HF-Bausteine von Cree liefern Leistung auf Rekordniveau

GaN-HEMTs meistern Herausforderungen von Radarsystemen auf der Basis von Wanderfeldröhren-Verstärkern München, 17. Juni 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat zwei branchenführende GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistors) vorgestellt. Mit ihnen lassen sich eine Reihe seit langem bestehender Probleme von Radarsystemen auf der Basis von Wanderfeldröhren-Verstärkern lösen. GaN-basierte […]

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 17. Juni 2015, 10:24

Tags: , ,

Cree präsentiert den industrieweit ersten 900 V SiC-MOSFET und setzt damit neue Maßstäbe im Bereich der diskreten Leistungs-MOSFETs

München, 18. Mai 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt mit der ersten Siliziumkarbid-basierten 900 V MOSFET-Plattform der Industrie seinen jüngsten Durchbruch in der Technologie für SiC-Leistungshalbleiter vor. Die neue 900 V Plattform ist für Leistungselektronik-Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen optimiert, zu denen Wechselrichter für Erneuerbare Energien, Ladesysteme für Elektrofahrzeuge und Dreiphasen-Industriestromversorgungen gehören. Auf dem Kostenniveau siliziumbasierter Lösungen schafft die neue 900 V SiC-Plattform die Voraussetzungen für eine neue Generation von Umrichtersystemen, die kleinere Abmessungen mit einem höheren Wirkungsgrad verbinden.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 18. Mai 2015, 10:35

Tags: , , ,

PCIM 2015: Cree präsentiert neue Produkte und Anwendungsmöglichkeiten

München, 11. Mai 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, zeigt auf der diesjährigen PCIM (Halle 9, Stand 242) seine jüngste Entwicklung bei rein Siliziumcarbid-basierten MOSFETs. Die neuen SiC MOSFETs werden dem Fachpublikum erstmals auf der internationalen Fachmesse für Leistungselektronik, die vom 19. bis 21. Mai in Nürnberg stattfindet, präsentiert. Neben Produkten informiert das Unternehmen im Rahmen der Messe bei verschiedenen Präsentationen und Fachvorträgen zudem über neue Innovationen und Anwendungsbeispiele.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 11. Mai 2015, 15:39

Tags: , , , ,

Cree stellt neuen 25 W GaN-MMIC-Leistungsverstärker vor

München, 31. März 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat ein neues 25 W GaN-MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits) für den Bereich von 6 bis 12 GHz vorgestellt. Gestützt auf die prinzipbedingten Vorteile der GaN-Technologie ermöglicht das neue MMIC extrem große Bandbreiten und eine Augenblicksbandbreite. Es eignet sich ideal als Ersatz für Wanderfeldröhren-Verstärker (Traveling Wave Tube Amplifiers – TWTAs) in Radar- und Störsenderanwendungen, Prüfsystemen und Breitbandverstärkern.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 31. März 2015, 12:08

Tags: , , , ,

Cree SiC-Technologie ermöglicht deutliche Reduzierung von Größe, Gewicht und Kosten bei PV-Wechselrichtern

Cree SiC MOSFETs für Solarwechselrichter

Cree SiC MOSFETs für Solarwechselrichter

München, 25. März 2015 – Cree, führender Anbieter von Siliziumkarbid-Powerbausteinen (SiC), hat den Nachweis erbracht, dass seine klassenbesten SiC-MOSFET- und -Diodentechnologien in der Lage sind, in String-Wechselrichtern für Photovoltaikanlagen eine bisher unerreichte Leistungsdichte zu erreichen. Sie ergeben einen extrem hohen Wirkungsgrad von mehr als 99,1 Prozent zu Spitzenzeiten, und dies bei einem Fünftel der durchschnittlichen Abmessungen und des Gewichts heutiger Wechselrichter auf Silizium-Basis.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 25. März 2015, 11:11

Tags: , , , , , , , , ,