Wolfspeed erweitert C-Band-Portfolio für Radarsysteme um neuen GaN-HEMT

München, 25. Januar 2017 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und einer der führenden Hersteller von Siliziumkarbid-basierten GaN-HEMTs und MMICs, hat mit dem neuen CGHV59070 GaN-HEMT für C-Band-Radarsysteme sein Portfolio an hocheffizienten C-Band-Radarbauteilen mit hoher Verstärkung und großer Bandbreiten erweitert. Der neue 70 W GaN-HEMT arbeitet bei 4,5 bis 5,9 GHz auf einer 50 V […]

Kategorien: Power, Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 25. Januar 2017, 11:04

Tags: , ,

Wolfspeed präsentiert neues Hochleistungs-L-Band Radar GaN-HEMT

München, 23. Januar 2017 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und einer der führenden Hersteller von Siliziumkarbid-basierten GaN-HEMTs und MMICs, hat den bis dato leistungsstärksten 50 V GaN-HEMT auf den Markt gebracht. Mit einem Hochleistungsimpuls von mindestens 800 W bei einem Betrieb von 1,2 – 1,4 GHz und 50 V mit mehr als 65 Prozent […]

Kategorien: Power, Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 23. Januar 2017, 11:21

Tags: ,

Wolfspeed erreicht neuen Meilenstein: GaN-RF-Bausteine mit insgesamt 1,3 GW Ausgangsleistung ausgeliefert

München, 21. März 2016 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und einer der führenden Hersteller von siliziumkarbid-basierten GaN-HEMTs und MMICs, hat Ende 2015 einen neuen Meilenstein erreicht: Das Unternehmen hat GaN-on-SiC-Leistungstransistoren mit einer Gesamtleistung von 1,3 Gigawatt (GW) ausgeliefert. Dabei konnte die Ausfallrate von 5 pro einer Milliarde Betriebsstunden beibehalten werden, was die hohe Zuverlässigkeit und Leistung der GaN-on-SiC-Bausteine unterstreicht.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 21. März 2016, 11:26

Tags: , , , , , , ,

Zuverlässigkeit der Wolfspeed GaN HPA Technologie von Lockheed Martin ausgezeichnet

München, 9. November 2015 – Wolfspeed, eine Unternehmen von Cree und einer der führenden Hersteller von siliziumkarbid-basierten GaN-HEMTs und MMICs, hat zusammen mit dem US-amerikanischen Technologiekonzern Lockheed Martin das US Air Force System Space Fence mit seinen GaN High Power Amplifiers (HPAs) ausgestattet. Dadurch lassen sich Gegenstände im All, die GPS-Satelliten oder Internationale Raumstationen gefährden können, schneller erkennen.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 9. November 2015, 10:53

Tags: , ,

Wolfspeed stellt neue 50V/60W GaN-HEMTs vor

München, 5. November 2015 — Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree, stellt zwei neue 50V/60W GaN-HEMT in Kunststoffgehäuse vor, welche die Vorteile von Galliumnitrid bei Leistung und Bandbreite mit einer günstigen Gehäuse-Plattform verbindet. Erhältlich im Miniaturformat (4,5mm x 6,5mm) mit ökonomischem Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage (SMT), eignen sich die Bauteile ideal für Kommunikationsanwendung wie etwa LTE, Base Transceiver Stations (BTS), Radar sowie Radiosysteme für die öffentliche Systeme und andere.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 5. November 2015, 11:02

Tags: , , ,

Cree stellt für das Ku-Band einen MMIC HPA mit bahnbrechender Leistung vor

München, 18. Juni 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, präsentiert das leistungsstärkste MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits), das marktweit für das Ku-Band erhältlich ist. Der neue, als GaN-MMIC mit 30 W Leistung implementierte zweistufige High Power Amplifier (HPA) deckt das kommerzielle Satellitenkommunikations-Band von 13,5 bis 14,75 GHz ab. Die Satellitenkommunikations-Branche kann damit Ku-Band-Lösungen realisieren, die leistungsstärker und effizienter sind als die heute eingesetzten TWT- oder GaAs-Lösungen.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von alicandro am 18. Juni 2015, 10:22

Tags: , , ,

Neue Application Note von Cree zu Großsignal-Performance

München, 29. April 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat eine neue Applikationsschrift zur Genauigkeit seiner Großsignal-Modelle für HF-Leistungstransistoren herausgegeben. HF-Design-Ingenieure können dadurch die Zahl der Design-Iterationen, die Design-Zeit und die Entwicklungskosten reduzieren.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von alicandro am 29. April 2015, 14:10

Tags: , , , ,

Cree stellt neuen 50 V Breitband GaN HEMT vor

München, 23. April 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat seine Familie von 50 V GaN HEMT ohne Impedanzanpassung durch eine neue gehäuste 50-W-Version ergänzt. Der Baustein ermöglicht leistungsfähige, breitbandige Lösungen für eine Vielzahl von HF- und Mikrowellen-Anwendungen mit Frequenzen bis 4 GHz, darunter schmalbandige UHF-Applikationen, L- und S-Band-Anwendungen und mehrere Oktaven abdeckende Breitbandverstärker.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von alicandro am 23. April 2015, 14:32

Tags: , , ,

Cree präsentiert neues Doherty-PA-Referenzdesign für Mobilfunk-Kleinzellen

München, 16. Februar 2015 – Zugeschnitten auf die Anforderungen von Kleinzellen-Designern hat Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, das neue Referenzdesign CDPA35045 vorgestellt, bei dem es sich um einen asymmetrischen Doherty-Leistungsverstärker (Power Amplifier – PA) für den Frequenzbereich von 3,5 bis 3,7 GHz handelt.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von alicandro am 16. Februar 2015, 11:57

Tags: , , , ,

Cree stellt die leistungsstärksten 50 V GaN-HEMTs der Industrie mit 320 W vor

München, 08. Januar 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat seine Familie diskreter 50 V GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) Chips durch drei neue Produkte erweitert – eine Version mit 20 W/6 GHz, eine mit 75 W/6 GHz und eine mit 320 W Leistung und 4 GHz. Die Familie besteht damit insgesamt aus fünf Chips, von denen die beiden ersten im vergangenen September eingeführt wurden. Es handelt sich dabei um die einzigen gehäuselosen 50 V GaN-HEMT-Chips, die auf dem allgemeinen Markt angeboten werden.

CRC272 50V GaN HEMT Die Family Extension MA

Cree CRC272 50V GaN HEMT Die

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von alicandro am 8. Januar 2015, 11:03