Cree stellt die leistungsstärksten GaN-HEMTs für das C-Band vor

München, 18. November 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat den ersten Galliumnitrid (GaN)-Transistor der Industrie für die Troposcatter-Kommunikation vorgestellt. Der Baustein ist für eine Leistung von 200 W im Dauerstrichbetrieb sowie für Frequenzen von 4,5 bis 5,0 GHz ausgelegt. Der neue GaN-HEMT (High Electron Mobility Transistor) des Typs CGHV50200F ist außerdem der leistungsstärkste Transistor der Industrie für C-Band-Applikationen wie zum Beispiel die Satellitenkommunikation.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 18. November 2014, 10:01

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Cree schafft mit neuen, kostengünstigen GaN-Hochfrequenztransistoren hoher Leistung die Voraussetzungen für Telekommunikationssysteme mit höheren Datenraten

München, 26. Juni 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt eine neue Familie von GaN HF-Transistoren hoher Leistung mit einem innovativ konstruierten Kunststoffgehäuse vor und macht damit die herausragende HF-Performance von GaN auf einer kostengünstigen Plattform verfügbar. Zu den ersten Produkten gehört der branchenweit erste im Kunststoffgehäuse angebotene 300-W-Transistor für 2,7 GHz. Das Produkt zeichnet sich durch eine beispiellose Psat-Effizienz von 65 Prozent und eine unerreichte Breitbandfähigkeit aus, und dies nahezu zum halben Preis entsprechender GaN-Transistoren in Industriestandard-Keramikgehäusen. Die neuen GaN-Transistoren sind für hohe Leistungen skalierbar und eignen sich für den Betrieb in allen Mobilfunk-Frequenzbändern bis 3,8 GHz. Damit schaffen sie die Voraussetzungen für kleinere und kostengünstigere Makrozellen-Funkeinheiten, die in der Lage sind, das wachsende Datenaufkommen der heutigen LTE-Netze zu bewältigen.

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Cree und Eta Devices präsentieren den weltweit effizientesten Leistungsverstärker für Mobilfunk-Basisstationen

Unternehmen setzten neue Standards bei Energieverbrauch und Reduzierung von CO2-Emissionen

Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt gemeinsam mit dem Halbleiter-Unternehmen Eta Devices den weltweit effizientesten Leistungsverstärker für Mobilfunk-Basisstationen vor. Der Verstärker erzielt beim 4G-Übertragungsstandard LTE eine Effizienz von über 70 Prozent und setzt damit branchenweit neue Maßstäbe.

„Dank der hohen Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit der GaN HEMT RF-Transistoren von Cree lassen sich mit den neuen Leistungsverstärkern von Eta Devices für Mobilfunk-Basisstationen bahnbrechende Effizienzvorteile erzielen“, so Jim Milligan, Business Director, Cree RF. „Es ist vor allem unseren Transistoren zu verdanken, dass die Leistungsverstärker von Eta Devices im Vergleich zu den führenden, derzeit auf dem Markt verfügbaren Siliziumverstärkern im 4G-LTE-Bereich eine um 50 Prozent höhere Effizienz erreichen.“ Bislang erhältliche Verstärker für Mobilfunk-Basisstationen, die LDMOS-Siliziumtransistoren einsetzen, erzielen eine Leistungseffizienz von maximal 45 Prozent.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 28. Februar 2013, 16:45

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Cree präsentiert neue Generation der 50-V-GaN-HEMT-Technologie

Transistoren ermöglichen signifikante Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen

 

Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt eine Palette neuer High Electron Mobility Transistoren (HEMT) auf Basis von Galliumnitrid (GaN) für den Spannungsbereich bis 50 Volt vor. Die innovative Technologie von Cree ermöglicht eine deutliche Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen. Weltweit fließen etwa 100 Terawattstunden (TWh) Strom in den Betrieb der Mobilfunknetze. Das entspricht Betriebskosten von rund 12 Milliarden US-Dollar (ca. 9,37 Mrd. Euro). Davon entfallen 50 bis 80 Prozent auf den Strombedarf der Leistungsverstärker und die Feed-Infrastruktur der Mobilfunksysteme. Mit den 50-V-GaN-HEMT von Cree konnte bei Leistungsverstärkern in Mobilfunkbasisstationen bei 2,6 Gigahertz (GHz) mit den neuesten 4G LTE-Signalen gegenüber herkömmlichen Technologien eine Leistungsverbesserung von mehr als 20 Prozent nachgewiesen werden. Durch diese Effizienzsteigerung könnten pro Jahr geschätzte 10 TWh eingespart werden. Das entspricht der Leistung von zwei Kernkraftwerken.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 8. November 2012, 10:12

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Cree liefert RF-Leistungstransistoren und High-Power-MMIC-Verstärker-Bausteine mit Gesamtleistung von mehr als 10 Millionen Watt aus

3234944342_6cf1287355_oMünchen, 04. Juli 2011 — Der Geschäftsbereich RF von Cree hat seit April 2011 GaN-on-SiC-RF-Leistungstransistoren und MMIC-Produkte mit einer RF-Leistung von insgesamt 10 Millionen Watt ausgeliefert. Dies unterstreicht die Qualität, Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit der Technologie, die Cree für die Herstellung von HEMT- und MMIC-Bausteinen auf Basis von Gallium-Nitrit (GaN) entwickelt hat. Der Wert von 10 Millionen bezieht sich nur auf kommerziell verfügbare RF-Produkte, nicht auf Bausteine mit weiteren 1,5 Millionen Watt, die Cree im Rahmen seiner GaN-MMIC-Foundry-Services bereitstellte.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 4. Juli 2011, 10:03

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GaN-HEMT-Transistoren und ‑MMIC von Cree bieten branchenführende Leistung und Effizienz für S-Band-Radaranwendungen

cr3704-sband-gan-hem1509ceMünchen, 27. Juni 2011– Cree hat seine neuesten GaN-HEMT-Leistungstransistoren und ein High Power Amplifier (HPA) MMIC für den Frequenzbereich von 2,7 bis 3,5 GHz (S-Band) präsentiert. Die Produkte erzielen einen typischen Leistungswirkungsgrad (Power-Added Efficiency – PAE) von 60 %. Verglichen mit existierenden Lösungen bedeutet dies eine Senkung der Leistungsaufnahme um bis zu 20 %.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 27. Juni 2011, 10:32

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Cree demonstriert ersten C-Band GaN HEMT MMIC High-Power Amplifier für die Satellitenkommunikation

München, 22. Juni 2011 – Cree hat den industrieweit ersten GaN HEMT MMIC High Power Amplifier (HPA) für Satellitenkommunikations-Anwendungen demonstriert. Das Produkt bietet entscheidende Performance-Verbesserungen gegenüber existierenden, kommerziell verfügbaren GaAs-MESFET-Transistoren oder Verstärkern auf der Basis von Wanderwellenröhren.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 22. Juni 2011, 16:12

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Cree bringt 150mm Siliziumkarbid-Substrate

München, 22. September 2010 – CREE, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, stellt heute seine leistungsfähigen und qualitativ hochwertigen 150mm Siliziumkarbid-Substrate mit Micropipe-Dichten von weniger als 10/cm² vor. Damit ist Cree ein wichtiger Schritt in der Entwicklung und Großserien-Kommerzialisierung der Siliziumkarbid-Technologie (SiC) gelungen. Der derzeitige Standard bei SiC-Substraten liegt bei 100mm Materialdurchmesser. Bei SiC handelt es […]

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 22. September 2010, 10:09

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Cree präsentiert neue GaN-HEMT-MMIC-Leistungsverstärker mit erweitertem X-Band Frequenzbereich

München, 26. August 2010 — Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen und Leistungshalbleitern auf Basis monolithisch integrierter Mikrowellenschaltkreise (Monolithic Microwave Integrated Circuit, MMIC), hat fünf neue GaN-MMIC-Verstärker mit High Electron Mobility Transistoren (HEMT) entwickelt. Diese unterstützen einen erweiterten X-Band Frequenzbereich. Die MMICs werden derzeit als gehäuselose Chips (Bare Die) bemustert. Noch in diesem Jahr werden auch gehäuste Chips verfügbar sein.

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Cree präsentiert hoch effiziente 120-Watt- und 180-Watt-GaN-HEMT-Leistungsverstärker

Steigerung des Leistungswirkungsgrads durch optimierte GaN-HEMT-Transitoren

München, 15. Juni 2009 — Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen und Leistungshalbleitern, hat auf dem IEEE/MTT-S International Microwave Symposium 2009 in Boston/ USA, seine neuesten Breitband-GaN-HEMT-Transistoren CGH40120F und CGH40180PP in Klasse-A/B-Demo-Leistungsverstärkern präsentiert. Die Verstärker weisen im CW Betrieb (Continuous Wave) besonders hohe Effizienz und Leistung auf. Sie haben einen Leistungswirkungsgrad (Power-Added Efficiency, PAE) von 70 Prozent bei Sättigungsleistungen von 120 W (CGH40120F) und 180 W (CGH40180PP).

cgh40120fNeben den beiden Transistoren stellte Cree außerdem einen Transistorverstärker mit 50-Prozent-Wirkungsgrad vor. Die Demoverstärker vereinen Crees neue 120-W- und 240-GaN-HEMT-Transistoren mit dem digitalen Breitband-Vorverzerrer-Chip GC5325 von Texas Instruments, der für Linearisierung sorgt. Dies verbessert die Energieeffizienz in Funk-Basisstationsanwendungen.

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