Cree schafft mit neuen, kostengünstigen GaN-Hochfrequenztransistoren hoher Leistung die Voraussetzungen für Telekommunikationssysteme mit höheren Datenraten

München, 26. Juni 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt eine neue Familie von GaN HF-Transistoren hoher Leistung mit einem innovativ konstruierten Kunststoffgehäuse vor und macht damit die herausragende HF-Performance von GaN auf einer kostengünstigen Plattform verfügbar. Zu den ersten Produkten gehört der branchenweit erste im Kunststoffgehäuse angebotene 300-W-Transistor für 2,7 GHz. Das Produkt zeichnet sich durch eine beispiellose Psat-Effizienz von 65 Prozent und eine unerreichte Breitbandfähigkeit aus, und dies nahezu zum halben Preis entsprechender GaN-Transistoren in Industriestandard-Keramikgehäusen. Die neuen GaN-Transistoren sind für hohe Leistungen skalierbar und eignen sich für den Betrieb in allen Mobilfunk-Frequenzbändern bis 3,8 GHz. Damit schaffen sie die Voraussetzungen für kleinere und kostengünstigere Makrozellen-Funkeinheiten, die in der Lage sind, das wachsende Datenaufkommen der heutigen LTE-Netze zu bewältigen.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF, Videos

Frohe Ostern

Essen Sie Ihre Osterhasen, ehe sie schmelzen.

Frohe Ostern wünscht Ihr CREE-Team

Kategorien: Corporate, LED, Videos

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 1. April 2010, 15:05

Tags: