Wolfspeed erweitert führende MOSFET Plattform um 1.200 V Variante

München, 28. Februar 2017 – Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree und führend im Bereich Silicon Carbide (SiC) Power Products, erweitert seine innovative C3M Plattform um einen neuen 1.200 V und 75 mOhm MOSFET im diskreten Gehäuse, das sich durch eine niedrige Induktivität auszeichnet. Die neue Lösung vereinfacht Designs und ermöglicht eine Frequenzerhöhung bei gleichbleibender Effizienz und niedrigeren Systemkosten. Zudem werden elektromagnetische Störungen im Schaltkreis reduziert und Effizienzlevel von 99 Prozent bei dreiphasigen Blindleistungskompensations-Schaltungen ermöglicht. […]

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Cree Presseteam am 28. Februar 2017, 13:04

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