Technologischer Durchbruch: Cree präsentiert 50 A-taugliche Siliziumkarbid-Leistungsbausteine

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Hochleistungs-Siliziumkarbid-MOSFETs ermöglichen kostengünstigere Leistungselektroniksysteme und Steigerung der Energieeffizienz

 
Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), präsentiert eine neue Familie von Siliziumkarbid-Bausteinen (SiC) mit 50 Ampere (A) Nennstrom, darunter der branchenweit erste Z-FET™ SiC-MOSFET für 1.700 V. Zu diesen neuen 50-A-SiC-Bausteinen gehören zudem ein 1.200 V Z-FET SiC-MOSFET und drei Z-Rec® SiC-Schottkydioden. Die Bausteine ermöglichen eine neue Generation von Leistungssystemen mit nie dagewesener Energieeffizienz und geringen Betriebskosten.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 18. Mai 2012, 11:03

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