Cree präsentiert neue Generation der 50-V-GaN-HEMT-Technologie

Transistoren ermöglichen signifikante Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen

 

Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt eine Palette neuer High Electron Mobility Transistoren (HEMT) auf Basis von Galliumnitrid (GaN) für den Spannungsbereich bis 50 Volt vor. Die innovative Technologie von Cree ermöglicht eine deutliche Senkung des Energiebedarfs von Mobilfunknetzen. Weltweit fließen etwa 100 Terawattstunden (TWh) Strom in den Betrieb der Mobilfunknetze. Das entspricht Betriebskosten von rund 12 Milliarden US-Dollar (ca. 9,37 Mrd. Euro). Davon entfallen 50 bis 80 Prozent auf den Strombedarf der Leistungsverstärker und die Feed-Infrastruktur der Mobilfunksysteme. Mit den 50-V-GaN-HEMT von Cree konnte bei Leistungsverstärkern in Mobilfunkbasisstationen bei 2,6 Gigahertz (GHz) mit den neuesten 4G LTE-Signalen gegenüber herkömmlichen Technologien eine Leistungsverbesserung von mehr als 20 Prozent nachgewiesen werden. Durch diese Effizienzsteigerung könnten pro Jahr geschätzte 10 TWh eingespart werden. Das entspricht der Leistung von zwei Kernkraftwerken.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 8. November 2012, 10:12

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