Cree SiC-Technologie ermöglicht deutliche Reduzierung von Größe, Gewicht und Kosten bei PV-Wechselrichtern

Cree SiC MOSFETs für Solarwechselrichter

Cree SiC MOSFETs für Solarwechselrichter

München, 25. März 2015 – Cree, führender Anbieter von Siliziumkarbid-Powerbausteinen (SiC), hat den Nachweis erbracht, dass seine klassenbesten SiC-MOSFET- und -Diodentechnologien in der Lage sind, in String-Wechselrichtern für Photovoltaikanlagen eine bisher unerreichte Leistungsdichte zu erreichen. Sie ergeben einen extrem hohen Wirkungsgrad von mehr als 99,1 Prozent zu Spitzenzeiten, und dies bei einem Fünftel der durchschnittlichen Abmessungen und des Gewichts heutiger Wechselrichter auf Silizium-Basis.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 25. März 2015, 11:11

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