Cree präsentiert zwei neue 50 V HEMTs auf Galliumnitrid-Basis

München, 01. Oktober 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat zwei 50 V HEMTs (High Electron Mobility Transistors) auf Galliumnitrid-Basis (GaN) vorgestellt, die keine Impedanzanpassung haben und sich ideal für den Einsatz in Breitbandverstärkern, Dauerstrich- und gepulsten Anwendungen hoher Leistung eignen.

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Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 1. Oktober 2014, 12:20

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Cree schafft mit neuen, kostengünstigen GaN-Hochfrequenztransistoren hoher Leistung die Voraussetzungen für Telekommunikationssysteme mit höheren Datenraten

München, 26. Juni 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, stellt eine neue Familie von GaN HF-Transistoren hoher Leistung mit einem innovativ konstruierten Kunststoffgehäuse vor und macht damit die herausragende HF-Performance von GaN auf einer kostengünstigen Plattform verfügbar. Zu den ersten Produkten gehört der branchenweit erste im Kunststoffgehäuse angebotene 300-W-Transistor für 2,7 GHz. Das Produkt zeichnet sich durch eine beispiellose Psat-Effizienz von 65 Prozent und eine unerreichte Breitbandfähigkeit aus, und dies nahezu zum halben Preis entsprechender GaN-Transistoren in Industriestandard-Keramikgehäusen. Die neuen GaN-Transistoren sind für hohe Leistungen skalierbar und eignen sich für den Betrieb in allen Mobilfunk-Frequenzbändern bis 3,8 GHz. Damit schaffen sie die Voraussetzungen für kleinere und kostengünstigere Makrozellen-Funkeinheiten, die in der Lage sind, das wachsende Datenaufkommen der heutigen LTE-Netze zu bewältigen.

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