Cree SiC-Technologie ermöglicht deutliche Reduzierung von Größe, Gewicht und Kosten bei PV-Wechselrichtern

Cree SiC MOSFETs für Solarwechselrichter

Cree SiC MOSFETs für Solarwechselrichter

München, 25. März 2015 – Cree, führender Anbieter von Siliziumkarbid-Powerbausteinen (SiC), hat den Nachweis erbracht, dass seine klassenbesten SiC-MOSFET- und -Diodentechnologien in der Lage sind, in String-Wechselrichtern für Photovoltaikanlagen eine bisher unerreichte Leistungsdichte zu erreichen. Sie ergeben einen extrem hohen Wirkungsgrad von mehr als 99,1 Prozent zu Spitzenzeiten, und dies bei einem Fünftel der durchschnittlichen Abmessungen und des Gewichts heutiger Wechselrichter auf Silizium-Basis.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 25. März 2015, 11:11

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Power Module von Cree revolutionieren Wechselrichterplattform für ein Stromerzeugungssystem

München, 28. Oktober 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat seine preisgekrönte Familie von 1,2 kV Six-Pack Power Modulen auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC) um ein neues, rein SiC-basiertes 20-A-Modul erweitert, das sich ideal für Drehstrom-Anwendungen mit Leistungen von 5 bis 15 kW eignet. Auf der Basis der C2M SiC MOSFET-Technologie und der Z-Rec SiC Schottkydioden-Technologie von Cree gibt das Six-Pack Modul Designern die Möglichkeit, die bei Si-basierten Wechselrichtern in industriellen Umrichtersystemen bestehenden Einschränkungen bezüglich der Leistungsdichte, der Effizienz und der Kosten zu überwinden.

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