Cree stellt vier neue 650 V SiC Schottkydioden vor

München, 04. Februar 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat das industrieweit umfangreichste Portfolio an SiC Schottkydioden um vier neue 650 V Dioden erweitert. Die neuen Bausteine wurden als Reaktion auf die Nachfrage der Stromversorgungs-Industrie nach Bauteilen mit einer Nennspannung knapp über 600 V entwickelt. Die 650 V Cree Z-Rec SiC Schottkydioden schaffen die Voraussetzungen für hocheffiziente Power-Systeme mit verbesserter Zuverlässigkeit, mehr Einfachheit und niedrigeren Gesamtkosten.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 4. Februar 2015, 10:36

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Neue Cree XLamp MHD-Familie bietet Chip-on-Board-Performance in einer oberflächenmontierten LED

München, 29. Januar 2015 – Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, baut auf dem Erfolg seiner bahnbrechenden XLamp MH-Familie auf und präsentiert zwei neue High-Power LEDs. Die keramischen XLamp MHD-E und MHD-G LEDs nutzen Elemente der neuen Cree SC5 Technology Plattform. Sie kombinieren die hohe Lumendichte und Zuverlässigkeit einer keramischen Chip-on-Board LED mit den Design- und fertigungstechnischen Vorteilen eines SMD-Packages (Surface-Mounted Decive). Im Vergleich zu Mid-Power LEDs bieten sie höhere Designflexibilität und helfen Leuchtenherstellern, Entwicklungsprozesse zu vereinfachen und die Fertigungseffizienz zu steigern. Die MH-Familie ermöglicht damit neue Designs und signifikant niedrigere Systemkosten – und das bei industrieweit führender Performance.

Kategorien: LED, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 29. Januar 2015, 10:40

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Cree stellt neues Design Kit für 1.200 MOSFETs vor

München, 22. Januar 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat ein neues MOSFET Design Kit präsentiert. Darin enthalten sind sämtliche Bauelemente, die zum Evaluieren der Leistungsfähigkeit von Cree MOSFETs und Schottky-Dioden in einer konfigurierbaren Halbbrückenschaltung benötigt werden.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 22. Januar 2015, 10:50

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Cree präsentiert Zahlen für das zweite Quartal 2015

Cree, ein führender Hersteller von LED-Beleuchtungslösungen, hat im zweiten Quartal seines Geschäftsjahres 2015, welches am 28. Dezember 2014 endete, einen Umsatz von 413,2 Millionen US-Dollar erwirtschaftet. Das entspricht in etwa dem Ergebnis vom zweiten Quartal 2014, in dem Cree 415,1 Millionen US-Dollar umsetzte.

Der Quartalsüberschuss für das zweite Quartal 2015 betrug nach US-GAAP 12,2 Millionen US-Dollar beziehungsweise 0,10 US-Dollar pro Aktie. Das entspricht einem Rückgang von 66 Prozent gegenüber dem zweiten Quartal 2014, in dem der Quartalsüberschuss 35,7 Millionen US-Dollar und 0,29 US-Dollar pro Aktie betrug.

Das Non-GAAP-Ergebnis im zweiten Quartal des Geschäftsjahres 2015 beläuft sich auf 37,9 Millionen US-Dollar. Das entspricht einem Rückgang von 33 Prozent gegenüber dem zweiten Quartal des Geschäftsjahres 2014, in dem der Überschuss 56,8 Millionen US-Dollar betragen hatte.

„Wir haben solide Fortschritte im zweiten Quartal gemacht und dank einer besseren Bruttomarge im Bereich Lighting eine höhere operative Marge erreicht als erwartet“, erklärt Chuck Swoboda, Cree Chairman und CEO. „Der Markt für LED-Beleuchtung befindet sich immer noch in den Anfängen. Unser Produktportfolio ist stark, die Absatzentwicklung erfreulich und Cree ist eine wachsende Marke auf dem Markt. Die signifikante Anzahl an Aktienrückkäufen in zweiten Quartal zeigt uns, dass wir auf dem richtigen Weg sind, weiter zu wachsen und unsere Umsätze in den nächsten Jahren zu steigern.“

Kategorien: Corporate, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 21. Januar 2015, 10:40

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Branchenweit erste Extreme High Power LEDs von Cree senken Systemkosten radikal

München, 12. Januar 2015 – Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, stellt die XLamp Extreme High Power (XHP) LEDs vor – eine neue Klasse von LEDs, mit denen die Systemkosten von Beleuchtungsanwendungen um bis zu 40 Prozent reduziert werden können. Ermöglicht wird dies durch die revolutionäre SC5 Technology Plattform von Cree. Sie kommt erstmals bei den XLamp XHP50 und XHP70 LEDs zum Einsatz, die damit eine doppelt so hohe Lichtausbeute sowie verbesserte Zuverlässigkeit als Vorgänger-LEDs der gleichen Größe bieten. Mit der bahnbrechenden Technologie der neuen XHP LEDs sind weitreichende Innovationen beim Design von Beleuchtungssystemen möglich.

Kategorien: LED, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 12. Januar 2015, 12:30

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Cree LEDs beleuchten Lagerhalle von Möbel Inhofer in Ulm

München, 01. Dezember 2014 – Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, liefert in Zusammenarbeit mit Lighting Technologies moderne LED-Technologie für Möbel Inhofer GmbH & Co. KG. Damit soll die ineffiziente Beleuchtung im neuen Warenlager von Europas größtem Möbelhaus ersetzt werden.

Lighting Technologies hat mit Technologie von Cree eine High-Performance-Beleuchtungslösung entwickelt, die XLamp XM-L2 LEDs enthält und bis zu 186 Lumen pro Watt bei 350 mA, 25°C liefert. Das neue Konzept ersetzt die zuvor installierten LED-Leuchten und Natriumdampflampen, die nicht den strengen deutschen Anforderungen für Beleuchtung am Arbeitsplatz entsprachen. Mit der neu installierten und leistungsstärkeren LED-Technologie erzielt Mövel Inhofer nicht nur 170 Lux auf Bodenhöhe und übertrifft damit den vorgeschrieben Wert von 150 Lux. Gleichzeitig wird das Unternehmen bis zu 88 Prozent Energiekosten im Vergleich zur vorherigen Beleuchtungstechnologie einsparen.

Kategorien: LED, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 1. Dezember 2014, 10:28

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Cree stellt die leistungsstärksten GaN-HEMTs für das C-Band vor

München, 18. November 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat den ersten Galliumnitrid (GaN)-Transistor der Industrie für die Troposcatter-Kommunikation vorgestellt. Der Baustein ist für eine Leistung von 200 W im Dauerstrichbetrieb sowie für Frequenzen von 4,5 bis 5,0 GHz ausgelegt. Der neue GaN-HEMT (High Electron Mobility Transistor) des Typs CGHV50200F ist außerdem der leistungsstärkste Transistor der Industrie für C-Band-Applikationen wie zum Beispiel die Satellitenkommunikation.

Kategorien: Pressemitteilungen, RF

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 18. November 2014, 10:01

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Power Module von Cree revolutionieren Wechselrichterplattform für ein Stromerzeugungssystem

München, 28. Oktober 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat seine preisgekrönte Familie von 1,2 kV Six-Pack Power Modulen auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC) um ein neues, rein SiC-basiertes 20-A-Modul erweitert, das sich ideal für Drehstrom-Anwendungen mit Leistungen von 5 bis 15 kW eignet. Auf der Basis der C2M SiC MOSFET-Technologie und der Z-Rec SiC Schottkydioden-Technologie von Cree gibt das Six-Pack Modul Designern die Möglichkeit, die bei Si-basierten Wechselrichtern in industriellen Umrichtersystemen bestehenden Einschränkungen bezüglich der Leistungsdichte, der Effizienz und der Kosten zu überwinden.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Cree präsentiert das erste Produkt einer neuen Familie von 50 V GaN-HEMT-Chips

München, 16. Oktober 2014 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat eine Familie diskreter HEMT-Chips (High Electron Mobility Transistor) auf GaN-Basis mit 50 V Nennspannung entwickelt. Die neuen Bausteine der Typen CGHV60040D (40 W) und CGHV60170D (170 W) sind die einzigen gehäuselosen 50 V GaN-HEMT-Chips auf dem Markt und können jetzt geordert werden. Zusätzlich sollen bis Ende dieses Kalenderjahres ein weiterer Chip für 50 V und 20 W und Frequenzen bis 6 GHz sowie ein für bis zu 4 GHz geeigneter Chip für 50 V und 320 W vorgestellt werden.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Cree präsentiert neue Generation von High-Power LEDs für höhere Leistung und niedrige Systemkosten

München, 09. Oktober 2014 – Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, stellt mit der XLamp MH-B LED eine neue Generation von High-Power LEDs vor, die leistungsfähiger als Mid-Power (MP) LEDs ist und auf effektivere Weise kostengünstige Systeme ermöglicht. Ausgestattet mit dem zuverlässigen Keramikgehäuse von Cree sind XLamp MH-B LEDs bei höheren Temperaturen als MP LEDs einsetzbar, ohne an Lebensdauer einzubüßen. Dadurch können Größe und Kosten des Kühlkörpers um bis zu 60 Prozent reduziert werden. Die XLamp MH-B LED benötigt für die gleiche Leistung bis zu 26 mal weniger LEDs als MP LEDs. Sie vereinfacht dadurch das LED-Systemdesign von Anwendungen, die derzeit ein Vielfaches an MP LEDs benötigen.
Cree_XLamp_MH-B

Kategorien: LED, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 9. Oktober 2014, 9:25

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