Cree stellt neues Design Kit für 1.200 MOSFETs vor

München, 22. Januar 2015 – Cree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat ein neues MOSFET Design Kit präsentiert. Darin enthalten sind sämtliche Bauelemente, die zum Evaluieren der Leistungsfähigkeit von Cree MOSFETs und Schottky-Dioden in einer konfigurierbaren Halbbrückenschaltung benötigt werden.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 22. Januar 2015, 10:50

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