Cree SiC-Technologie ermöglicht deutliche Reduzierung von Größe, Gewicht und Kosten bei PV-Wechselrichtern

Cree SiC MOSFETs für Solarwechselrichter

Cree SiC MOSFETs für Solarwechselrichter

München, 25. März 2015 – Cree, führender Anbieter von Siliziumkarbid-Powerbausteinen (SiC), hat den Nachweis erbracht, dass seine klassenbesten SiC-MOSFET- und -Diodentechnologien in der Lage sind, in String-Wechselrichtern für Photovoltaikanlagen eine bisher unerreichte Leistungsdichte zu erreichen. Sie ergeben einen extrem hohen Wirkungsgrad von mehr als 99,1 Prozent zu Spitzenzeiten, und dies bei einem Fünftel der durchschnittlichen Abmessungen und des Gewichts heutiger Wechselrichter auf Silizium-Basis.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von alicandro am 25. März 2015, 11:11

Tags: , , , , , , , , ,

Cree präsentiert leistungsstarken Power-Baustein für zuverlässige und kostengünstige Stromwandlersysteme

Industrieweit erster komplett auf Siliziumkarbid (SiC) basierender dreiphasiger Power-Baustein reduziert Design-Einschränkungen

 

Module_only_CLosedCree, führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, bringt ein Siliziumkarbid (SiC) Sixpack-Power-Modul mit einem standardisierten 45 mm-Gehäuse auf den Markt. Im Vergleich zu Silizium-Modulen weist das Cree Sixpack-Modul bis zu 75 Prozent geringer Leistungsverluste auf. Dadurch kann die Größe des Kühlkörpers um bis zu 70 Prozent reduziert oder die Leistungsdichte um bis zu 50 Prozent gesteigert werden. Damit überwinden Entwickler bisherige Einschränkungen im Design und können gleichzeitig leistungsstärkere, zuverlässigere und kostengünstigere Stromwandlersysteme entwickeln. Die 1,2 kV, 50 A SiC-Bausteine liefern eine Leistung, die mit der von gängigen 150 A Silizium (Si)-Modulen vergleichbar ist.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 15. Mai 2013, 10:24

Tags: , , , , , , ,