Cree stellt hoch effizientes Hochfrequenz-Leistungsmodul auf Basis von Siliziumcarbid vor

Branchenweit erstes voll qualifiziertes und produktionsfertiges
Power-Modul aus SiC

 

cr5742-all-sic-cree-power-moduleMünchen, 12. November 2012 – Cree, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, präsentiert mit dem Cree-Power-Modul das industrieweit erste kommerziell verfügbare Leistungsmodul, das komplett aus Siliziumcarbid (SiC) gefertigt ist. Das neue Hochfrequenzmodul ist für Stromstärken von 100 A und eine Sperrspannung von bis zu 1200 V ausgelegt. Cree präsentiert das SiC-Power-Modul auf der Fachmesse Electronica 2012 (13. bis 16. November, Messe München, Halle A5 / Stand 343) erstmals dem Fachpublikum.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 12. November 2012, 15:58

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