Cree stellt den ersten 1.200 V/25 mΩ MOSFET mit TO-247-Gehäuse vor

München, 19. Mai 2014 – Die bisher geltende Grenze für den Einschaltwiderstand von MOSFETs in herkömmlicher 1.200-V-Technologie wurde von Cree jetzt unterboten. Das Unternehmen präsentierte den industrieweit ersten kommerziell angebotenen 1.200 V MOSFET in Siliziumkarbid-Technologie (SiC) mit einem RDS(on) von 25 mΩ im Industriestandard-Gehäuse des Typs TO-247-3. Der neue MOSFET mit der Bezeichnung C2M0025120D dürfte in PV-Wechselrichtern, Hochvolt-Gleichspannungswandlern, Induktionsheizsystemen, Ladesystemen für Elektrofahrzeuge sowie CT-Systemen für die Medizin große Verbreitung finden.

Kategorien: Power, Pressemitteilungen

Veröffentlicht von Ortrud Wenzel am 19. Mai 2014, 12:45

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